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作者：冰球突破 发布时间：2021-01-29 02:00 浏览： 次
本资产评估陈诉依据中国资产评估准则体例
上海硅财富团体股份有限公司拟股权收购
所涉及的上海新昇半导体科技有限公司
股东全部权益项目
资 产 评 估 报 告
中联评报字【2020】第 887 号
中联资产评估团体有限公司
二〇二〇年五月
上海硅财富团体股份有限公司拟股权收购所涉及的
上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估陈诉
目 录
声明 ........................................................ 1
摘 要 ...................................................... 3
资 产 评 估 报 告 ........................................... 5
一、委托人、被评估单元和其他评估陈诉利用者 .................. 5
二、评估目标 ............................................... 9
三、评估工具和评估范畴 .................................... 10
四、代价范例及其界说 ...................................... 36
五、评估基准日 ............................................ 36
六、评估依据 .............................................. 37
七、评估要领 .............................................. 40
八、评估措施实施进程和环境................................. 52
九、评估假设 .............................................. 54
十、评估结论 .............................................. 55
十一、出格事项说明 ........................................ 58
十二、资产评估陈诉利用限制说明............................. 61
十三、资产评估陈诉日 ...................................... 62
附件目次 .................................................... 64
中联资产评估团体有限公司
上海硅财富团体股份有限公司拟股权收购所涉及的
上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估陈诉
声明
一、本资产评估陈诉依据财务部宣布的资产评估根基准则和中国资产
评估协会宣布的资产评估执业准则和职业道德准则体例。
二、委托人可能其他资产评估陈诉利用人该当凭据法令、行政礼貌规
定和资产评估陈诉载明的利用范畴利用资产评估陈诉；委托人可能其他资
产评估陈诉利用人违反前述划定利用资产评估陈诉的，资产评估机构及其
资产评估专业人员不包袱责任。
三、资产评估陈诉仅供委托人、资产评估委托条约中约定的其他资产
评估陈诉利用人和法令、行政礼貌划定的资产评估陈诉利用人利用；除此
之外，其他任何机构和小我私家不能成为资产评估陈诉的利用人。
四、资产评估陈诉利用人该当正确领略和利用评估结论，评估结论不
等同于评估工具可实现价值，评估结论不应当被认为是对评估工具可实现
价值的担保。
五、资产评估陈诉利用人该当存眷评估结论创立的假设前提、资产评
估陈诉出格事项说明和利用限制。
六、资产评估机构及其资产评估专业人员遵守法令、行政礼貌和资产
评估准则，僵持独立、客观、合理的原则，并对所出具的资产评估陈诉依
法包袱责任。
七、我们已对资产评估陈诉中的评估工具及其所涉及资产举办现场调
查；已经对评估工具及其所涉及资产的法令权属状况给以须要的存眷，对
评估工具及其所涉及资产的法令权属资料举办了磨练，对已经发明的问题
举办了如实披露，而且已提请委托人及其他相关当事人完善产权以满意出
具资产评估陈诉的要求。
本评估机构及资产评估师差池评估工具及其所涉及资产的法令权属
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上海硅财富团体股份有限公司拟股权收购所涉及的
上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估陈诉
的真实性做任何形式的担保。
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上海硅财富团体股份有限公司拟股权收购所涉及的
上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估陈诉
上海硅财富团体股份有限公司拟股权收购
所涉及的上海新昇半导体科技有限公司
股东全部权益项目
资 产 评 估 报 告
中联评报字【2020】第 887 号
摘 要
中联资产评估团体有限公司接管上海硅财富团体股份有限公司的委
托，就上海硅财富团体股份有限公司拟股权收购之经济行为，对所涉及的
上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益在评估基准日的市场代价进
行了评估。
评估工具为上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益，评估范畴是
上海新昇半导体科技有限公司的全部资产及相关欠债，包罗活动资产、非
活动资产及相应欠债。
评估基准日为 2019 年 9 月 30 日。
本次评估的代价范例为市场代价。
本次评估以一连利用和果真市场为前提，团结委估工具的实际环境，
综合思量各类影响因素，别离回收资产基本法和市场法两种要领对上海新
昇半导体科技有限公司举办整体评估，然后加以校核较量。思量评估要领
的合用前提和满意评估目标，本次选用资产基本法评估功效作为最终评估
结论。
经实施清稽核实、实地查勘、市场观测和询证、评定估算等评估措施，
得出上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益在评估基准日 2019 年 9
月 30 日的评估结论如下：
上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益在评估基准日 2019 年 9
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上海硅财富团体股份有限公司拟股权收购所涉及的
上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估陈诉
月 30 日的评估值为 199,726.08 万元，较账面值 67,040.30 万元，评估增
值 132,685.78 万元，增值率 197.92%。
在利用本评估结论时，出格提请陈诉利用者利用本陈诉时留意陈诉中
所载明的非凡事项以及期后重大事项。
按照资产评估相关法令礼貌，涉及法定评估业务的资产评估陈诉，须
委托人凭据法令礼貌要求推行资产评估监视打点措施后利用，评估功效使
用有效期一年，即自 2019 年 9 月 30 日至 2020 年 9 月 29 日利用有效。
以上内容摘自资产评估陈诉正文，相识本评估项目标具体环境和公道
领略评估结论，该当阅读资产评估陈诉全文。
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上海硅财富团体股份有限公司拟股权收购所涉及的
上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估陈诉
上海硅财富团体股份有限公司拟股权收购
所涉及的上海新昇半导体科技有限公司
股东全部权益项目
资 产 评 估 报 告
中联评报字【2020】第 887 号
上海硅财富团体股份有限公司：
中联资产评估团体有限公司接管贵公司的委托，按照有关法令礼貌和
资产评估准则，僵持独立、客观和合理的原则，回收资产基本法和市场法，
凭据须要的评估措施，对上海硅财富团体股份有限公司拟股权收购之经济
行为所涉及的上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益在评估基准日
2019 年 9 月 30 日的市场代价举办了评估。现将资产评估环境陈诉如下：
一、委托人、被评估单元和其他评估陈诉利用者
本次资产评估的委托工钱上海硅财富团体股份有限公司，被评估单元
为上海新昇半导体科技有限公司。
(一)委托人轮廓
公司名称：上海硅财富团体股份有限公司(以下简称“上海硅财富”)
注册地点：上海市嘉定区兴邦路 755 号 3 幢
法定代表人：俞跃辉
注册成本：186019.1800 万元人民币
公司范例：股份有限公司(上市)
统一社会信用代码：91310114MA1GT35K5B
中联资产评估团体有限公司 第5页
上海硅财富团体股份有限公司拟股权收购所涉及的
上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估陈诉
创立日期：2015 年 12 月 09 日
营业期限：2015 年 12 月 09 日至不约按期限
策划范畴：硅产物和集成电路产物技能规模内的技能处事，硅产物和
集成电路研制、销售，硅质料行业投资，集成电路行业投资，创业投资，
实业投资，资产打点，投资咨询，投资打点，企业打点咨询，贸易咨询。
【依法须经核准的项目，经相关部分核准后方可开展策划勾当】
(二)被评估单元轮廓
企业名称：上海新昇半导体科技有限公司(以下简称“新昇半导体”)
统一社会信用代码：91310115301484416G
住 所：浦东新区泥城镇新城路2号24幢C1350室
注册成本：78000.0000万人民币
法定代表人：李炜
经济性质：其他有限责任公司
策划范畴：高品质半导体硅片研发、出产和销售，从事货品及技能的
收支口业务。
【依法须经核准的项目,经相关部分核准后方可开展策划勾当】
策划期限：2014年06月04日至2044年06月03日
1.公司汗青沿革及股东布局
(1)初始创立
上海新昇半导体科技有限公司创立于 2014 年 06 月 04 日，注册成本
为人民币 50,000.00 万元，由上海新阳半导体质料股份有限公司、深圳市
兴森快捷电路科技股份有限公司、上海新傲科技股份有限公司与上海皓芯
投资打点有限公司配合出资设立。股东布局和股权比譬喻下：
序号 股东名称 出资额(万元) 出资比例%
1 上海新阳半导体质料股份有限公司 19,000.00 38.00
2 深圳市兴森快捷电路科技股份有限公司 16,000.00 32.00
中联资产评估团体有限公司 第6页
上海硅财富团体股份有限公司拟股权收购所涉及的
上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估陈诉
序号 股东名称 出资额(万元) 出资比例%
3 上海新傲科技股份有限公司 5,000.00 10.00
4 上海皓芯投资打点有限公司 10,000.00 20.00
合 计 50,000.00 100.00
(2)第一次股权转让并增资
2016年5月，按照《股东转让协议》，股东上海新傲科技股份有限公司
将所持有新昇半导体的全部所有者权益转让给上海硅财富团体股份有限
公司，同时上海硅财富团体股份有限公司增资 28,000 万元，改观后的公
司注册成本为78,000 万元，股东布局和股权比譬喻下：
序号 股东名称 出资额(万元) 出资比例%
1 上海新阳半导体质料股份有限公司 19,000.00 24.36
2 深圳市兴森快捷电路科技股份有限公司 16,000.00 20.51
3 上海硅财富团体股份有限公司 33,000.00 42.31
4 上海皓芯投资打点有限公司 10,000.00 12.82
合 计 78,000.00 100.00
(3)第二次股权转让
2016 年 11 月，按照《股东转让协议》，深圳市兴森快捷电路科技股
份有限公司将所持有新昇半导体的全部所有者权益转让给上海硅财富集
团股份有限公司。改观后股东布局和股权比譬喻下：
序号 股东名称 出资额(万元) 出资比例%
1 上海新阳半导体质料股份有限公司 19,000.00 24.36
2 上海硅财富团体股份有限公司 49,000.00 62.82
3 上海皓芯投资打点有限公司 10,000.00 12.82
合 计 78,000.00 100.00
(4)第三次股权转让
2017年10月，按照《股东转让协议》，上海皓芯投资打点有限公司将
所持有的3.205%所有者权益转让给上海新阳半导体质料股份有限公司。变
更后股东布局和股权比譬喻下：
序号 股东名称 出资额(万元) 出资比例%
1 上海新阳半导体质料股份有限公司 21,500.00 27.56
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上海硅财富团体股份有限公司拟股权收购所涉及的
上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估陈诉
序号 股东名称 出资额(万元) 出资比例%
2 上海硅财富团体股份有限公司 49,000.00 62.82
3 上海皓芯投资打点有限公司 7,500.00 9.62
合 计 78,000.00 100.00
(5)第四次股权转让
2018年4月，按照《股东转让协议》，上海皓芯投资打点有限公司将所
持有的剩余全部9.615%所有者权益转让给上海硅财富团体股份有限公司。
改观后股东布局和股权比譬喻下：
序号 股东名称 出资额(万元) 出资比例%
1 上海新阳半导体质料股份有限公司 21,500.00 27.56
2 上海硅财富团体股份有限公司 56,500.00 72.44
合 计 78,000.00 100.00
（6）第五次股权转让
2019年3月29日，上海新阳半导体质料股份有限公司将所持有的部门上
海新昇股权转让给上海硅财富团体股份有限公司。改观后股东布局和股权
比譬喻下：
序号 股东名称 出资额(万元) 出资比例%
1 上海新阳半导体质料股份有限公司 1,170.00 1.5
2 上海硅财富团体股份有限公司 76,830.00 98.5
合 计 78,000.00 100.00
本次改观完成后，截至评估基准日，公司之股权布局未产生变革。
2.主营业务环境
上海新昇半导体科技有限公司始建于2014年6月，坐落于临港重装备
区内，占地150亩，总投资68亿元，一期总投资23亿元。新昇半导体第一期
方针致力于在我国研究、开拓合用于40-28nm节点的300mm硅单晶发展、硅
片加工、外延片制备、硅片阐明检测等硅片财富化成套量产工艺；建树300
毫米半导体硅片的出产基地，实现300毫米半导体硅片的国产化，充实满意
我国极大局限集成电路财富对硅衬底基本质料的急切要求。新昇半导体一
期投入后，估量月产能为15万片12英寸硅片，最终将形成300mm硅片60万片
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上海硅财富团体股份有限公司拟股权收购所涉及的
上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估陈诉
/月的产能，年产值到达60亿元。新昇半导体将与世界一流技能接轨，到达
世界先历程度。
3.公司资产、欠债及财政状况
截至 2019 年 9 月 30 日，新昇半导体账面资产总额为 234,579.62 万
元，欠债总额为 167,539.32 万元，净资产为 67,040.30 万元。公司前二年
及基准日资产、欠债、财政状况如下表：
单元：万元
项 目 2017 年 12 月 31 日 2018 年 12 月 31 日 2019 年 9 月 30 日
总资产 157,842.92 280,553.96 234,579.62
欠债 91,101.58 204,483.01 167,539.32
净资产 66,741.34 76,070.95 67,040.30
项 目 2017 年度 2018 年度 2019 年 1-9 月
营业收入 2,470.17 21,510.84 13,825.89
营业利润 -2,009.14 -675.15 -9,482.41
净利润 -2,106.01 -670.39 -9,495.76
注：上表数据来历于经普华永道审计的上海硅财富团体股份有限公司归并报表范畴内（普华永
道中天审字(2019)第 11056 号）
(三)委托人与被评估单元之间的干系
委托人上海硅财富团体股份有限公司为被评估单元上海新昇半导体
科技有限公司股东，也是本次经济行为涉及的股权受让方。
(四)委托人、资产评估委托条约约定的其他评估陈诉利用者
本评估陈诉的利用者为委托人和相关禁锢机构。
除国度法令礼貌还有划定外，任何未经评估机构和委托人确认的机构
或小我私家不能由于获得评估陈诉而成为评估陈诉利用者。
二、评估目标
按照上海新昇《姑且董事会决策》（2020 临董 002 号），上海硅财富
团体股份有限公司拟收购上海新昇半导体科技有限公司股权，为此需对上
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上海硅财富团体股份有限公司拟股权收购所涉及的
上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估陈诉
海新昇半导体科技有限公司于基准日的股东全部权益代价举办评估。
本次评估的目标是反应所涉及的上海新昇半导体科技有限公司的股
东全部权益在评估基准日的市场代价，为上述经济行为提供代价参考依据。
三、评估工具和评估范畴
(一)评估工具
评估工具是上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益。
(二)评估范畴
评估范畴为上海新昇半导体科技有限公司于评估基准日的全部资产
及相关欠债，账面资产总额为 234,579.62 万元，欠债总额为 167,539.32
万元，净资产为 67,040.30 万元。详细包罗活动资产 40,543.06 万元；非
活动资产 194,036.56 万元；活动欠债 42,887.94 万元；非活动欠债
124,651.38 万元。
上述资产与欠债数据包罗在经普华永道审计的上海硅财富团体股份
有限公司归并报表范畴内（普华永道中天审字(2019)第 11056 号），评估
是在企业颠末审计后的基本长举办的。
委托评估工具和评估范畴与经济行为涉及的评估工具和评估范畴一
致。
(三)委估主要资产环境
本次评估范畴中的主要资产为活动资产、牢靠资产、在建工程、无形
资产及其他非活动资产等。
1.活动资产
活动资产主要由钱币资金、应收账款、预付金钱、其他应收款、存货
及其他活动资产等构成。
2.牢靠资产
(1)衡宇修建物
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上海硅财富团体股份有限公司拟股权收购所涉及的
上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估陈诉
衡宇修建物位于上海市浦东新区云水路 1000 号内，共 19 幢修建物、
包罗拉晶厂房、动力站、切磨抛厂房、出产厂房 A、中试楼、增压泵房及门
卫等，产证号为沪（2019）浦字不动产权第 117292 号。还有 9 项构筑物。
上述建(构)筑主要为企业自用。
(2)设备类资产
牢靠资产主要是设备类资产，按用途分为呆板设备、车辆和电子设备。
个中呆板设备总计 430 台(套)，主要有多层外延回响炉、微粒检测机、大
投量拉晶机 、双面抛光机、双面研磨机、线切割机等；车辆共 3 辆，为轿
车及大客车；电子设备共计 521 台(套)，主要有电脑、空调、打印机、复
印机、处事器、互换机等。上述设备今朝正常利用中。
3.在建工程
在建工程为设备安装工程，明细表共 99 项，主要设备有双面抛光机、
抛光后检讨机、退火前清洗机、大投量拉晶机、二期超纯水处理惩罚系统工程
(设备)、超导磁场、双面研磨机、高效外延回响炉、边沿检测机等。
4.无形资产
(1)无形资产-地皮利用股权
地皮利用权由“沪房地浦字(2016)第 279070 号”上海市房地产权证》
确权，房地产权利工钱上海新昇半导体科技有限公司，权属性质为国有建
设用地利用权，利用权取得方法为出让，用途为家产用地，宗地号为泥城
镇 23 街坊 46/14 丘，宗地(丘)面积为 100,067.00 平方米，利用期限为
2015 年 6 月 12 日至 2065 年 6 月 11 日止。
(2)无形资产-其他无形资产
无形资产-其他无形资产为企业外购的软件，共 62 项。
5.其他非活动资产
其他非活动资产共 34 项，主要内容为预付设备款及工程款。
(四)企业申报的账面记录可能未记录的无形资产环境
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上海硅财富团体股份有限公司拟股权收购所涉及的
上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估陈诉
1.账面记录的无形资产
截至评估基准日，被评估企业申报的评估范畴内账面记录的无形资产
为地皮利用权1幅和外购种种办公软件62项。个中：地皮利用权由“沪房地
浦字(2016)第279070号”《上海市房地产权证》确权，房地产权利工钱上
海新昇半导体科技有限公司，权属性质为国有建树用地利用权，利用权取
得方法为出让，用途为家产用地，宗地号为泥城镇23街坊46/14丘，宗地(丘)
面积为100,067.00平方米，利用期限为2015年6月12日至2065年6月11日止。
2.账面未记录的无形资产
截至评估基准日，被评估企业申报的评估范畴内账面未记录的无形资
产为专利及专利申请权共计 605 项，权利工钱上海新昇半导体科技有限公
司，详细如下：
序号 专利名称 专利号/申请号 专利种别 有效起日期 有效止日期 法令状态 申请国
石英腔体的牢靠治具及清
1 201620490839.2 实用新型 2016/5/25 2026/5/24 授权 中国
洗装置
2 一种气体管路 201620691686.8 实用新型 2016/7/1 2026/6/30 授权 中国
3 气体处理惩罚装置 201620692353.7 实用新型 2016/7/4 2026/7/3 授权 中国
4 硅单晶棒接纳装置 201620480717.5 实用新型 2016/5/24 2026/5/23 授权 中国
5 晶盒封装装置 201620480746.1 实用新型 2016/5/24 2026/5/23 授权 中国
6 晶盒包装装置 201620486186 实用新型 2016/5/25 2026/5/24 授权 中国
7 尾气管路加热装置 201620623889.3 实用新型 2016/6/22 2026/6/21 授权 中国
8 化学品供给装置 201620560353.1 实用新型 2016/6/12 2026/6/11 授权 中国
9 一种晶棒牢靠装置 201621296061.8 实用新型 2016/11/29 2026/11/28 授权 中国
制浸染于丈量硅片外貌的
10 201720678057.6 实用新型 2017/6/12 2027/6/11 授权 中国
金属量的样品的蚀刻台
11 一种硅片清洗槽 201720878845.X 实用新型 2017/7/19 2027/7/18 授权 中国
一种用于多线切割机的收
12 201720808208.5 实用新型 2017/7/5 2027/7/4 授权 中国
线轴以及多线切割机
硅单晶棒接纳装置及方
13 201510661933.X 发现 2015/10/14 2035/10/13 授权 中国
法、液氮供给装置
14 半导体布局及其形成要领 201510658749.X 发现 2015/10/13 2035/10/12 授权 中国
15 半导体布局及其形成要领 201510659197.4 发现 2015/10/13 2035/10/12 授权 中国
场效应晶体管及其制备方
16 201510667042.5 发现 2015/10/15 2035/10/14 授权 中国
法
单晶硅锭及晶圆的形成方
17 201510672144.6 发现 2015/10/15 2035/10/14 授权 中国
法
中联资产评估团体有限公司 第12页
上海硅财富团体股份有限公司拟股权收购所涉及的
上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估陈诉
序号 专利名称 专利号/申请号 专利种别 有效起日期 有效止日期 法令状态 申请国
互补场效应晶体管及其制
18 201510671009.X 发现 2015/10/15 2035/10/14 授权 中国
备要领
19 回响炉 201721034930.4 实用新型 2017/8/17 2027/8/16 授权 中国
20 硅片研磨和清洗装置 201721880326.3 实用新型 2017/12/28 2027/12/27 授权 中国
21 集电装置及半导体设备 201721149829.3 实用新型 2017/9/8 2027/9/7 授权 中国
一种用于晶棒外径研磨的
22 201820150775.0 实用新型 2018/1/29 2028/1/28 授权 中国
夹具及研磨装置
23 一种拉晶炉 201821161235.9 实用新型 2018/7/20 2028/7/19 授权 中国
一种应用于单晶炉的冷却
24 201821169882.4 实用新型 2018/7/20 2028/7/19 授权 中国
装置及单晶炉
25 SOI 衬底及其制备要领 201510683914.7 发现 2015/10/20 2035/10/19 授权 中国
绝缘体上 III-V 化合物衬
26 201510703722.8 发现 2015/10/26 2035/10/25 授权 中国
底的制备要领
高压无结场效应器件及其
27 201510749582.8 发现 2015/11/6 2035/11/5 授权 中国
形成要领
具有漂移区的高压无结场
28 201510765530.X 发现 2015/11/11 2035/11/10 授权 中国
效应器件及其形成要领
监测基座温度匀称性的方
29 201510900577.2 发现 2015/12/8 2035/12/7 授权 中国
法
监测基座温度匀称性的方
30 201510901208.5 发现 2015/12/8 2035/12/7 授权 中国
法
真空管闪存布局之制造方
31 201610120869.9 发现 2016/3/3 2036/3/2 授权 中国
法
真空纳米管场效应晶体管
32 201610307379.X 发现 2016/5/10 2036/5/9 授权 中国
及其制造要领
真空纳米管场效应晶体管
33 201610307101.2 发现 2016/5/10 2036/5/9 授权 中国
及其制造要领
基于二维电子气的低功耗
34 201610352710.X 发现 2016/5/14 2036/5/13 授权 中国
氢气传感器及其制造要领
一种晶圆片架的取放片装
35 201610588892.0 发现 2016/7/25 2036/7/24 授权 中国
置
一种 OLED 布局及其建造
36 201611256318.1 发现 2016/12/30 2036/12/29 授权 中国
要领
37 一种真空吸笔 201821768321.6 实用新型 2018/10/29 2028/10/28 授权 中国
38 - 201920230383.X 实用新型 2019/2/21 2029/2/20 授权 中国
39 晶盒包装装置 201620486186.0 实用新型 2016/5/25 2026/5/24 授权 中国
40 垂直晶体管及其制备要领 201510703700.1 发现 2015/10/26 在受理 中国
高压无结场效应器件及其
41 201510746889.2 发现 2015/11/6 在受理 中国
形成要领
双沟道 FinFET 器件及其
42 201510844310.6 发现 2015/11/26 在受理 中国
制造要领
具有漂移区和渐变沟道的
43 高压无结场效应器件及其 201510924724.X 发现 2015/12/11 在受理 中国
形成要领
单晶硅锭及晶圆的形成方
44 201510939120.2 发现 2015/12/15 在受理 中国
法
中联资产评估团体有限公司 第13页
上海硅财富团体股份有限公司拟股权收购所涉及的
上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估陈诉
序号 专利名称 专利号/申请号 专利种别 有效起日期 有效止日期 法令状态 申请国
互补纳米线半导体器件
45 201510943725.9 发现 2015/12/15 在受理 中国
及其制造要领
全密封真空纳米管场效应
46 201510981410.3 发现 2015/12/23 在受理 中国
晶体管及其制造要领
垂直真空密封碳纳米管场
47 201510981315.3 发现 2015/12/23 在受理 中国
效应晶体管及其制造要领
48 晶圆热处理惩罚的要领 201610120844.9 发现 2016/3/3 在受理 中国
49 晶圆热处理惩罚的要领 201610120562.9 发现 2016/3/3 在受理 中国
绝缘层上顶层硅衬底及其
50 201610120843.4 发现 2016/3/3 在受理 中国
制造要领
单晶硅的发展要领及其制
51 201610120879.2 发现 2016/3/3 在受理 中国
备的单晶硅锭
互补纳米线半导体器件及
52 201610120564.8 发现 2016/3/3 在受理 中国
其制备要领
绝缘层上顶层硅衬底及其
53 201610120565.2 发现 2016/3/3 在受理 中国
制造要领
鳍状场效应晶体管及其制
54 201610120577.5 发现 2016/3/3 在受理 中国
备要领
绝缘层上顶层硅衬底及其
55 201610120580.7 发现 2016/3/3 在受理 中国
制造要领
鳍状场效应晶体管及其制
56 201610120862.7 发现 2016/3/3 在受理 中国
备要领
57 半导体布局及其形成要领 201610319775.4 发现 2016/5/13 在受理 中国
58 微电子布局及其形成要领 201610293503.1 发现 2016/5/5 在受理 中国
液晶显示器面板及其像素
59 201610173628.0 发现 2016/3/24 在受理 中国
单位的制备要领
液晶显示器面板及其像素
60 201610318473.5 发现 2016/5/13 在受理 中国
单位的制备要领
真空管闪存布局及其制造
61 201610173638.4 发现 2016/3/24 在受理 中国
要领
提高硅晶片外延层外貌平
62 201610278896.9 发现 2016/4/28 在受理 中国
整度的要领
63 微电子布局及其形成要领 201610293052.1 发现 2016/5/5 在受理 中国
双栅极石墨烯场效应晶体
64 201610173661.3 发现 2016/3/24 在受理 中国
管及其制造要领
制造石墨烯场效晶体管的
65 201610356807.8 发现 2016/5/26 在受理 中国
要领
低落预抽腔体中芯片温度
66 201610218470.4 发现 2016/4/8 在受理 中国
的要领及芯片降温装置
淘汰外延衬底缺陷的形成
67 201610205601.5 发现 2016/4/1 在受理 中国
要领
淘汰外延衬底缺陷的形成
68 201610293626.5 发现 2016/5/5 在受理 中国
要领
伯努利基座装置及沉积设
69 201610236823.3 发现 2016/4/15 在受理 中国
备
伯努利基座装置及沉积设
70 201610237813.1 发现 2016/4/15 在受理 中国
备
伯努利基座装置及沉积设
71 201610237765.6 发现 2016/4/15 在受理 中国
备
中联资产评估团体有限公司 第14页
上海硅财富团体股份有限公司拟股权收购所涉及的
上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估陈诉
序号 专利名称 专利号/申请号 专利种别 有效起日期 有效止日期 法令状态 申请国
外貌声波器件及其制造方
72 201610236703.3 发现 2016/4/15 在受理 中国
法、温度检测设备
73 晶圆金属污染的评估要领 201610237873.3 发现 2016/4/15 在受理 中国
74 晶圆控片及其制造要领 201610278144.2 发现 2016/4/28 在受理 中国
基板的抓取装置及其抓取
75 201610482087.X 发现 2016/6/27 在受理 中国
要领
76 石英腔体的清洗要领 201610356764.3 发现 2016/5/25 在受理 中国
77 晶盒清洗设备 201610596315.6 发现 2016/7/27 在受理 中国
78 一种外延发展要领 201610463905.1 发现 2016/6/26 在受理 中国
79 外延发展设备 201610353583.5 发现 2016/5/25 在受理 中国
80 外延设备腔室盖板 201610278900.1 发现 2016/4/28 在受理 中国
81 外延设备 201610278856.4 发现 2016/4/28 在受理 中国
石英腔体的清洗装置及清
82 201610356861.2 发现 2016/5/25 在受理 中国
洗要领
一种机器手臂及基板的抓
83 201610443457.9 发现 2016/6/20 在受理 中国
取要领
机器手臂的监控系统及监
84 201610428174.7 发现 2016/6/16 在受理 中国
控要领
85 低温外延要领及设备 201610327612.0 发现 2016/5/17 在受理 中国
86 熔体设备的掩护装置 201610328847.1 发现 2016/5/17 在受理 中国
87 一种晶圆的双面抛光要领 201610332985.7 发现 2016/5/18 在受理 中国
环栅 III-V 量子阱晶体管
88 及锗无结晶体管及其制造 201610352706.3 发现 2016/5/24 在受理 中国
方
89 一种晶圆定位装置及要领 201610326082.8 发现 2016/5/17 在受理 中国
一种吸附质料、吸附装置
90 201610349293.3 发现 2016/5/24 在受理 中国
及制备要领
基于外貌声波的湿度传感
91 201610352725.6 发现 2016/5/24 在受理 中国
器及其制造要领
一种晶圆支持板组件、抛
92 201610473618.9 发现 2016/6/24 在受理 中国
光装置及晶圆精抛光要领
一种线切割砂浆供给系统
93 201610472257.6 发现 2016/6/24 在受理 中国
及要领
一种抛光液供给系统及方
94 201610451540.0 发现 2016/6/21 在受理 中国
法
95 一种单晶硅发展炉 201610423045.9 发现 2016/6/15 在受理 中国
96 一种低温外延要领及装置 201610435872.X 发现 2016/6/17 在受理 中国
97 一种溶剂殽杂器 201610395471.6 发现 2016/6/6 在受理 中国
一种基于纳米线的高电子
98 迁移率晶体管及其建造方 201610473359.X 发现 2016/6/24 在受理 中国
法
一种形成氧化层和外延层
99 201610537121.9 发现 2016/7/8 在受理 中国
的要领
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上海硅财富团体股份有限公司拟股权收购所涉及的
上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估陈诉
序号 专利名称 专利号/申请号 专利种别 有效起日期 有效止日期 法令状态 申请国
项目任务分派要领、装
100 置、计较机设备和项目管 201610541476.5 发现 2016/7/11 在受理 中国
理系统
一种半导体晶片湿法清洗
101 201610485915.5 发现 2016/6/28 在受理 中国
设备
102 直拉发展单晶硅的要领 201610544093.3 发现 2016/7/12 在受理 中国
在石英坩埚中制备硅熔融
103 201610543465.0 发现 2016/7/12 在受理 中国
体的要领
一种存储器布局及其制备
104 201610589314.9 发现 2016/7/25 在受理 中国
要领
105 一种晶圆减薄要领及装置 201610638222.5 发现 2016/8/5 在受理 中国
一种晶圆减薄要领及减薄
106 201610637636.6 发现 2016/8/5 在受理 中国
的晶圆布局
一种刻蚀要领、刻蚀装置
107 201610778065.8 发现 2016/8/30 在受理 中国
及半导体晶圆支解要领
一种外延设备、设备建造
108 201610664963.0 发现 2016/8/12 在受理 中国
要领及外延要领
109 一种拉晶炉的拉晶机构 201610814793.X 发现 2016/9/9 在受理 中国
一种半导体晶盒清洗干燥
110 201610850773.8 发现 2016/9/26 在受理 中国
储存一体化要领及设备
一种半导体晶圆的抛光方
111 201610898646.5 发现 2016/10/14 在受理 中国
法
112 半导体晶圆的抛光要领 201610899466.9 发现 2016/10/14 在受理 中国
一种纳米线存储器布局及
113 201610679692.6 发现 2016/8/17 在受理 中国
其制备要领
一种纳米管存储器布局及
114 201610681644.0 发现 2016/8/17 在受理 中国
其制备要领
一种淘汰自掺杂的底座及
115 201610664993.1 发现 2016/8/12 在受理 中国
外延设备
一种基于伯努利效应的底
116 201610670487.3 发现 2016/8/15 在受理 中国
座及外延设备
一种温度传感器及测温方
117 201610815681.6 发现 2016/9/8 在受理 中国
法
一种基于负电容的环栅场
118 201610833429.8 发现 2016/9/20 在受理 中国
效应晶体管及其建造要领
热屏组件及单晶提拉炉热
119 201610728299.1 发现 2016/8/25 在受理 中国
场布局
异型加热器及单晶提拉炉
120 201610725182.8 发现 2016/8/25 在受理 中国
热场布局
一种化学机器抛光液及其
121 201611084494.1 发现 2016/11/30 在受理 中国
制备要领
微波退火制备 3D NAND
122 201610842148.9 发现 2016/9/22 在受理 中国
的要领
晶圆键合要领及其键合装
123 201610908069.3 发现 2016/10/18 在受理 中国
置
显示屏的掩护层及其形成
124 要领以及显示屏及其形成 201610844205.7 发现 2016/9/22 在受理 中国
要领
125 一种拉晶炉 201610874607.1 发现 2016/9/30 在受理 中国
中联资产评估团体有限公司 第16页
上海硅财富团体股份有限公司拟股权收购所涉及的
上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估陈诉
序号 专利名称 专利号/申请号 专利种别 有效起日期 有效止日期 法令状态 申请国
126 一种单晶炉 201610818921.8 发现 2016/9/12 在受理 中国
127 籽晶夹头及直拉单晶炉 201610805126.5 发现 2016/9/6 在受理 中国
128 校准晶片及其制造要领 201610876793.2 发现 2016/9/30 在受理 中国
掺杂气体缓冲装置、掺杂
129 201610825552.5 发现 2016/9/14 在受理 中国
气体供应装置及要领
互补 CMOS 管的制造方
130 201610916657.1 发现 2016/10/20 在受理 中国
法
一种多晶硅二次加料装置
131 201610825530.9 发现 2016/9/14 在受理 中国
及要领
一种磁控去除硅化物颗粒
132 201611091074.6 发现 2016/12/1 在受理 中国
的尾气处理惩罚装置
一种互补晶体管器件布局
133 201610986588.1 发现 2016/11/9 在受理 中国
及其建造要领
一种半导体晶片湿法清洗
134 201610971358.8 发现 2016/11/3 在受理 中国
设备
改进晶圆外貌切割描摹的
135 201611139742.8 发现 2016/12/12 在受理 中国
线切割系统
浮区法发展晶体的设备及
136 201611022589.0 发现 2016/11/17 在受理 中国
要领
坩埚、坩埚的制备要领及
137 201611024115.X 发现 2016/11/17 在受理 中国
4H-SiC 晶体的发展要领
4H-SiC 晶体发展设备及
138 201611022469.0 发现 2016/11/17 在受理 中国
要领
一种带有溢流腔的尾气处
139 201611060006.3 发现 2016/11/24 在受理 中国
理装置
140 校准晶片及其制造要领 201610934480.8 发现 2016/10/25 在受理 中国
141 自动进料系统及进料要领 201610953027.1 发现 2016/11/3 在受理 中国
单晶发展炉热屏及其制造
142 201610959752.X 发现 2016/10/28 在受理 中国
要领
143 基于 FTIR 的表征设备 201610987721.5 发现 2016/11/10 在受理 中国
144 4H-SiC 晶体发展要领 201611116598.6 发现 2016/12/7 在受理 中国
晶片安排装置和晶片定向
145 201710051656.X 发现 2017/1/19 在受理 中国
仪
146 晶圆外貌平坦度丈量系统 201611100690.3 发现 2016/12/5 在受理 中国
147 丈量要领 201611113180.X 发现 2016/12/7 在受理 中国
148 抛光设备及检测要领 201710254306.3 发现 2017/4/18 在受理 中国
一种栅阵列无结半导体沟
149 道存储器布局及其制备方 201611236887.X 发现 2016/12/28 在受理 中国
法
一种无结半导体沟道栅阵
150 列存储器布局及其制备方 201611236881.2 发现 2016/12/28 在受理 中国
法
一种神经元晶体管布局及
151 201611235603.5 发现 2016/12/28 在受理 中国
其制备要领
神经元晶体管布局及其制
152 201611235618.1 发现 2016/12/28 在受理 中国
备要领
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上海硅财富团体股份有限公司拟股权收购所涉及的
上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估陈诉
序号 专利名称 专利号/申请号 专利种别 有效起日期 有效止日期 法令状态 申请国
真空管场效应晶体管阵列
153 201611204711.6 发现 2016/12/23 在受理 中国
及其制造要领
晶棒线切割装置及晶棒线
154 201611100725.3 发现 2016/12/5 在受理 中国
切割要领
具有黑磷沟道层的低打仗
155 电阻率 FinFET 及其制备 201611100748.4 发现 2016/12/5 在受理 中国
要领
一种硅片研磨装置及其研
156 201611264423.X 发现 2016/12/30 在受理 中国
磨要领
157 硅片的建造要领 201710068794.9 发现 2017/2/8 在受理 中国
SiC 晶体切片移动设备及
158 201611167941.X 发现 2016/12/16 在受理 中国
移动要领
SiC 晶体切片设备及切片
159 201611154276.0 发现 2016/12/14 在受理 中国
要领
基于程度激光照射的晶圆
160 201611261713.9 发现 2016/12/30 在受理 中国
减薄设备及要领
基于激光水射流的晶圆减
161 201611261712.4 发现 2016/12/30 在受理 中国
薄设备及要领
162 一种晶圆传片布局 201611247974.5 发现 2016/12/29 在受理 中国
一种碳纳米管制场效应晶
163 201710004518.6 发现 2017/1/4 在受理 中国
体管阵列及其制造要领
一种后栅无结与非门闪存
164 201710028176.1 发现 2017/1/13 在受理 中国
存储器及其建造要领
165 籽晶夹头及单晶提拉炉 201710056545.8 发现 2017/1/25 在受理 中国
竖直插入式否决脚及伯努
166 201710062833.4 发现 2017/1/25 在受理 中国
利吸盘
合用于单片式外延炉的分
167 201710056500.0 发现 2017/1/25 在受理 中国
离式基座组件
168 宏观划痕长度丈量装置 201710062812.2 发现 2017/1/25 在受理 中国
169 一种坩埚轴升降装置 201710272634.6 发现 2017/4/24 在受理 中国
具有原子级平整外貌的薄
170 201710135017.1 发现 2017/3/8 在受理 中国
膜的制备要领
自瞄准晶种层及自瞄准薄
171 201710134405.8 发现 2017/3/8 在受理 中国
膜的制备要领
一种光导开关及其制备方
172 201710254689.4 发现 2017/4/18 在受理 中国
法
一种多腔室外延炉及其气
173 201710272639.9 发现 2017/4/24 在受理 中国
压调理要领
174 一种外延炉硅片基座 201710272642.0 发现 2017/4/24 在受理 中国
硅片夹、检测装置及其检
175 201710244785.0 发现 2017/4/14 在受理 中国
测要领
一种多晶硅自动进料系统
176 201710254683.7 发现 2017/4/18 在受理 中国
及其要领
177 一种直拉单晶硅要领 201710188098.1 发现 2017/3/27 在受理 中国
178 晶圆外貌平坦化要领 201710261391.6 发现 2017/4/20 在受理 中国
179 晶圆外貌平坦化要领 201710262317.6 发现 2017/4/20 在受理 中国
中联资产评估团体有限公司 第18页
上海硅财富团体股份有限公司拟股权收购所涉及的
上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估陈诉
序号 专利名称 专利号/申请号 专利种别 有效起日期 有效止日期 法令状态 申请国
一种淘汰晶片缺陷的设备
180 201710193119.9 发现 2017/3/28 在受理 中国
及要领
181 一种晶片吸杂要领 201710193120.1 发现 2017/3/28 在受理 中国
182 一种坩埚及制造要领 201710209422.3 发现 2017/3/31 在受理 中国
一种可用作挡片或控片的
183 201710208599.1 发现 2017/3/31 在受理 中国
晶片制备要领及晶片
一种半导体衬底的建造方
184 201710208601.5 发现 2017/3/31 在受理 中国
法
切割线材、切割机台以及
185 201710230087.5 发现 2017/4/10 在受理 中国
切割要领
186 一种调解装置及清洗机 201710368879.9 发现 2017/5/23 在受理 中国
187 硅片切割装置 201710272188.9 发现 2017/4/24 在受理 中国
188 等离子体产生装置 201710272198.2 发现 2017/4/24 在受理 中国
189 晶圆处理惩罚要领 201710254307.8 发现 2017/4/18 在受理 中国
190 一种硅片的干燥要领 201710350286.X 发现 2017/5/18 在受理 中国
191 圆外貌处理惩罚装置及要领 201710304837.9 发现 2017/5/3 在受理 中国
基于伯努利道理的边沿研
192 磨基座、边沿研磨系统及 201710262320.8 发现 2017/4/20 在受理 中国
要领
193 伯努利吸盘 201710262327.X 发现 2017/4/20 在受理 中国
氧化硅发展系统、要领及
194 半导体测试布局的建造方 201710312425.X 发现 2017/5/5 在受理 中国
法
195 一种单晶提拉炉热场布局 201710356903.7 发现 2017/5/19 在受理 中国
一种带有水冷套的热屏组
196 201710357457.1 发现 2017/5/20 在受理 中国
件及单晶提拉炉热场布局
晶棒的测试要领以及晶棒
197 201710487582.4 发现 2017/6/23 在受理 中国
发展装置
冷却装置、单晶炉和晶棒
198 201710424211.1 发现 2017/6/7 在受理 中国
的冷却要领
199 晶圆顶针及其形成要领 201710525497.2 发现 2017/6/30 在受理 中国
200 衬底及其建造要领 201710406672.6 发现 2017/6/2 在受理 中国
201 石墨坩埚及其制造要领 201710412082.4 发现 2017/6/2 在受理 中国
202 石墨坩埚及其制造要领 201710406654.8 发现 2017/6/2 在受理 中国
203 目检装置 201710317403.2 发现 2017/5/5 在受理 中国
204 晶圆平坦度丈量装置及晶
201710312102.0 发现 2017/5/5 在受理 中国
圆平坦度丈量系统
205 一种硅单晶引晶布局及工
201710343971.X 发现 2017/5/16 在受理 中国
艺
206 支撑台、改进晶圆或外延
发展晶圆外貌的顶针陈迹 201710439022.1 发现 2017/6/12 在受理 中国
的要领
207 疏散式卡盘装置以及晶元
201710582457.1 发现 2017/7/17 在受理 中国
的研磨工艺
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上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估陈诉
序号 专利名称 专利号/申请号 专利种别 有效起日期 有效止日期 法令状态 申请国
208 研磨台清洗装置及其清洗
201710586286.X 发现 2017/7/18 在受理 中国
要领
209 砂浆导液槽、砂浆供给装
201710370069.7 发现 2017/5/23 在受理 中国
置及晶圆切割系统
210 砂浆供给装置 201710375312.4 发现 2017/5/24 在受理 中国
211 一种半导体器件及其制造
201710534165.0 发现 2017/7/3 在受理 中国
要领、电子装置
212 一种半导体器件及其制造
201710485112.4 发现 2017/6/23 在受理 中国
要领、电子装置
213 衬托器、气相发展装置及
201710620096.5 发现 2017/7/26 在受理 中国
气相发展要领
214 气相发展装置及气相发展
201710620046.7 发现 2017/7/26 在受理 中国
要领
215 一种不和密封晶片的要领 201710537508.9 发现 2017/7/4 在受理 中国
216 一种不和密封晶片的要领 201710537506.X 发现 2017/7/4 在受理 中国
217 不和密封晶片的要领 201710538436.X 发现 2017/7/4 在受理 中国
218 晶片不和密封的要领 201710541857.8 发现 2017/7/4 在受理 中国
219 衬底支撑装置以及外延生
201710713577.0 发现 2017/8/18 在受理 中国
长设备
220 一种半导体晶圆最终抛光
201710641819.X 发现 2017/7/31 在受理 中国
后的清洗要领
221 一种半导体晶圆的最终抛
光机以及最终抛光及清洗 201710639489.0 发现 2017/7/31 在受理 中国
要领
222 一种半导体晶圆的清洗方
201710639479.7 发现 2017/7/31 在受理 中国
法
223 一种用于晶圆的目视检测
201710600948.4 发现 2017/7/21 在受理 中国
机及检测要领
224 一种 GaN 器件及其制造
201710587413.8 发现 2017/7/18 在受理 中国
要领、电子装置
225 一种半导体器件及其制造
201710587405.3 发现 2017/7/18 在受理 中国
要领、电子装置
226 改进外延硅片外貌平坦度
201710868142.3 发现 2017/9/22 在受理 中国
的要领
227 一种 SiC 外延外貌的预处
201710841324.1 发现 2017/9/18 在受理 中国
理及外延发展要领
228 一种 SiC 外延层的制备方
201710911736.8 发现 2017/9/29 在受理 中国
法及装置
229 一种调控掺杂浓度的 SiC
201711024669.4 发现 2017/10/27 在受理 中国
发展要领及装置
230 一种晶圆寻边装置 201710802096.7 发现 2017/9/7 在受理 中国
231 一种抛光盘基座、抛光
盘、抛光机以及最终抛光 201710829117.4 发现 2017/9/14 在受理 中国
要领
232 一种晶圆及其制造要领、
201710780544.8 发现 2017/9/1 在受理 中国
电子装置
233 一种晶圆载具及用于操纵
201710867571.9 发现 2017/9/22 在受理 中国
所述晶圆载具的机器手
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上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估陈诉
序号 专利名称 专利号/申请号 专利种别 有效起日期 有效止日期 法令状态 申请国
234 一种硅片的处理惩罚要领 201711271080.4 发现 2017/12/5 在受理 中国
235 一种晶圆承载装置 201710823944.2 发现 2017/9/13 在受理 中国
236 一种硅片少子寿命的测试
201710833597.1 发现 2017/9/15 在受理 中国
要领及测试装置
237 一种硅片少子寿命的测试
201710859782.8 发现 2017/9/21 在受理 中国
装置
238 一种晶棒的切割要领及切
201710792762.3 发现 2017/9/5 在受理 中国
割装置
239 一种用于预清洗机的水道
装置、预清洗机以及预清 201710839318.2 发现 2017/9/15 在受理 中国
洗要领
240 抛光设备及要领 201711047198.9 发现 2017/10/31 在受理 中国
241 一种抛光设备 201711049908.1 发现 2017/10/31 在受理 中国
242 晶圆清洗要领及清洗装置 201711173925.6 发现 2017/11/22 在受理 中国
243 一种硅片批量清洗干燥方
201711173913.3 发现 2017/11/22 在受理 中国
法及装置
244 快速热处理惩罚装置及要领 201711237366.0 发现 2017/11/30 在受理 中国
245 一种晶片及其制造要领、
201711192027.5 发现 2017/11/24 在受理 中国
电子装置
246 一种长晶炉及长晶炉的水
201711160854.6 发现 2017/11/20 在受理 中国
冷套
247 一种用于长晶的坩埚装置 201711160851.2 发现 2017/11/20 在受理 中国
248 一种拉晶系统和拉晶要领 201711176669.6 发现 2017/11/22 在受理 中国
249 一种拉晶系统和拉晶要领 201711174291.6 发现 2017/11/22 在受理 中国
250 热屏及单晶硅发展炉布局 201711368190.2 发现 2017/12/18 在受理 中国
251 热屏及单晶硅发展炉布局 201711368216.3 发现 2017/12/18 在受理 中国
252 热屏及单晶硅发展炉布局 201711365658.2 发现 2017/12/18 在受理 中国
253 一种硅片测试台 201810247686.2 发现 2018/3/23 在受理 中国
254 一种晶圆夹持机器手臂及
201810338638.4 发现 2018/4/16 在受理 中国
其清洗晶圆的要领
255 一种用于晶体直径丈量的
201810084837.7 发现 2018/1/29 在受理 中国
自动校准要领及校准系统
256 一种拉晶系统 201810059354.1 发现 2018/1/22 在受理 中国
257 一种改进外延片污染印记
201810061254.2 发现 2018/1/22 在受理 中国
的要领
258 一种半导体薄膜平坦度改
201810058937.2 发现 2018/1/22 在受理 中国
善的要领
259 外延炉冷却系统及冷却方
201810747275.X 发现 2018/7/9 在受理 中国
法
260 一种应用于单晶炉的冷却
201810804122.4 发现 2018/7/20 在受理 中国
装置及单晶炉
261 一种拉晶炉 201810806334.6 发现 2018/7/20 在受理 中国
262 硅片的返工系统及要领 201810821335.8 发现 2018/7/24 在受理 中国
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上海硅财富团体股份有限公司拟股权收购所涉及的
上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估陈诉
序号 专利名称 专利号/申请号 专利种别 有效起日期 有效止日期 法令状态 申请国
263 外延片的制备要领 201810835104.2 发现 2018/7/26 在受理 中国
264 研磨平台及研磨设备 201810836382.X 发现 2018/7/26 在受理 中国
265 基于模仿方法得到外延度
201810837465.0 发现 2018/7/26 在受理 中国
的要领
266 外延基座及外延设备 201810903652.4 发现 2018/8/9 在受理 中国
267 长晶炉校验系统和长晶炉
201810997982.4 发现 2018/8/29 在受理 中国
校验要领
268 外延灯管帮助检测装置及
201811169153.3 发现 2018/10/8 在受理 中国
其检测要领
269 一种校准外延腔温度的方
201811253222.9 发现 2018/10/25 在受理 中国
法
270 一种单晶硅晶棒的长晶方
201811267643.7 发现 2018/10/29 在受理 中国
法
271 一种单晶硅晶棒的长晶方
201811267664.9 发现 2018/10/29 在受理 中国
法
272 一种晶体发展节制要领、
装置、系统及计较机存储 201811272388.5 发现 2018/10/29 在受理 中国
介质
273 一种晶体发展节制要领、
装置、系统及计较机存储 201811272682.6 发现 2018/10/29 在受理 中国
介质
274 一种直拉法引晶要领 201811308065.7 发现 2018/11/5 在受理 中国
275 一种晶体发展节制要领、
装置、系统及计较机存储 201811330586.2 发现 2018/11/8 在受理 中国
介质
276 一种单晶发展炉的反射屏
201811340095.6 发现 2018/11/12 在受理 中国
及单晶发展炉
277 一种晶体发展炉的导流筒
201811472539.1 发现 2018/12/4 在受理 中国
和晶体发展炉
278 一种晶棒切片要领 201811477262.1 发现 2018/12/5 在受理 中国
279 一种晶棒切片装置 201811477274.4 发现 2018/12/5 在受理 中国
280 一种晶棒切片装置 201811477279.7 发现 2018/12/5 在受理 中国
281 一种晶棒切片装置和要领 201811477291.8 发现 2018/12/5 在受理 中国
282 一种晶棒切片装置 201811477368.1 发现 2018/12/5 在受理 中国
283 晶圆盒安排架及晶圆存储
201811518717.X 发现 2018/12/12 在受理 中国
柜
284 晶圆盒检测系统及晶圆出
201811518729.2 发现 2018/12/12 在受理 中国
货打点要领
285 一种晶圆测试装置和要领 201811520405.2 发现 2018/12/12 在受理 中国
286 一种晶圆夹持机器手臂组
201811521689.7 发现 2018/12/13 在受理 中国
件
287 晶圆基座安装东西 201811525648.5 发现 2018/12/13 在受理 中国
288 分体式导流筒 201811525881.3 发现 2018/12/13 在受理 中国
289 加热式导流筒 201811527817.9 发现 2018/12/13 在受理 中国
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序号 专利名称 专利号/申请号 专利种别 有效起日期 有效止日期 法令状态 申请国
290 一种树脂垫板及半导体晶
201821631102.3 实用新型 2018/10/8 在受理 中国
体切割机
291 - 201910182532.4 发现 2019/3/12 在受理 中国
292 - 201910182531.X 发现 2019/3/12 在受理 中国
293 - 201920066642.X 实用新型 2019/1/15 在受理 中国
294 - 201910156340.6 发现 2019/3/1 在受理 中国
295 - 201910181965.8 发现 2019/3/11 在受理 中国
296 - 201910151553.X 发现 2019/2/28 在受理 中国
297 - 201910181545.X 发现 2019/3/11 在受理 中国
298 - 201910104706.5 发现 2019/2/1 在受理 中国
299 晶棒布局 201920776775.6 实用新型 2019/5/27 在受理 中国
300 牢靠毗连部、研磨头组件
201910347208.3 发现 2019/4/28 在受理 中国
及抛光设备
301 一种晶体发展装置 201920645452.3 实用新型 2019/4/30 在受理 中国
302 提高晶圆抛光平坦度的方
201910402705.9 发现 2019/5/15 在受理 中国
法及硅片加工要领
303 - 201910329242.8 发现 2019/4/23 在受理 中国
304 - 201910363973.4 发现 2019/4/30 在受理 中国
305 - 201910362435.3 发现 2019/4/30 在受理 中国
306 - 201910402699.7 发现 2019/5/15 在受理 中国
307 - 201910357352.5 发现 2019/4/29 在受理 中国
308 - 201910734324.0 发现 2019/8/9 在受理 中国
309 - 201910488829.3 发现 2019/6/6 在受理 中国
310 - 201910913689.X 发现 2019/9/25 在受理 中国
311 - 201910527023.0 发现 2019/6/18 在受理 中国
312 - 201910527727.8 发现 2019/6/18 在受理 中国
313 - 201910527014.1 发现 2019/6/18 在受理 中国
314 - 201910527728.2 发现 2019/6/18 在受理 中国
315 - 201910860775.9 发现 2019/9/11 在受理 中国
316 集尘罐、单晶发展设备及
201910671773.5 发现 2019/7/24 在受理 中国
单晶发展要领
317 一种用于晶体发展的坩埚
201910841934.0 发现 2019/9/6 在受理 中国
底座装置
318 清洗槽及修整器清洗系统 201921171920.4 实用新型 2019/7/24 在受理 中国
319 一种硅单晶的发展要领 201910899811.2 发现 2019/9/23 在受理 中国
320 一种晶体发展装置 201910860777.8 发现 2019/9/11 在受理 中国
321 一种晶体发展装置 201910860787.1 发现 2019/9/11 在受理 中国
322 一种晶体发展装置 201910859971.4 发现 2019/9/11 在受理 中国
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上海硅财富团体股份有限公司拟股权收购所涉及的
上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估陈诉
序号 专利名称 专利号/申请号 专利种别 有效起日期 有效止日期 法令状态 申请国
323 一种晶棒切割装置和要领 201910636557.7 发现 2019/7/15 在受理 中国
324 治具 201921572072.8 实用新型 2019/9/20 在受理 中国
325 清洗槽及修整器清洗系统 201921572089.3 实用新型 2019/9/20 在受理 中国
326 清洗槽及修整器清洗系统 201921572087.4 实用新型 2019/9/20 在受理 中国
327 外延层的形成要领 201510658742.8 发现 2015/10/15 在受理 中国
328 晶圆的形成要领 201510659200.2 发现 2015/10/13 在受理 中国
329 真空管闪存布局及其制造
201510658550.7 发现 2015/10/12 在受理 中国
要领
330 单晶硅锭及晶圆的形成方
201510667035.5 发现 2015/10/15 在受理 中国
法
331 CMOS 布局及其制备要领 201510683929.3 发现 2015/10/20 在受理 中国
332 量子阱器件及其形成要领 201510707751.1 发现 2015/10/27 在受理 中国
333 量子阱器件及其形成要领 201510707771.9 发现 2015/10/27 在受理 中国
334 单晶硅的发展要领及其制
201610120860.8 发现 2016/3/3 在受理 中国
备的单晶硅锭
335 石墨烯场效应晶体管及其
201610173589.4 发现 2016/3/24 在受理 中国
制造要领
336 低落预抽腔体中芯片温度
201610218416.X 发现 2016/4/8 在受理 中国
的要领及芯片降温装置
337 区熔法发展硅单晶用气体
喷射与射频加热一体装置 201610140082.9 发现 2016/3/11 在受理 中国
及要领
338 单晶硅锭及晶圆的形成方
201610224914.5 发现 2016/4/12 在受理 中国
法
339 伯努利基座 201610278821.0 发现 2016/4/28 在受理 中国
340 纳米线半导体器件及其制
201610150107.3 发现 2016/3/16 在受理 中国
造要领
341 一种激光退火装置及激光
201610334207.1 发现 2016/5/19 在受理 中国
退火要领
342 一种晶圆的精抛光要领 201610331501.7 发现 2016/5/18 在受理 中国
343 刻蚀要领、刻蚀装置及半
201610778104.4 发现 2016/8/30 在受理 中国
导体晶圆支解要领
344 超导带及其制造要领 201610985266.5 发现 2016/10/25 在受理 中国
345 一种复合石墨烯超导带材
201710209379.0 发现 2017/3/31 在受理 中国
布局及其制备要领
346 一种复合碳纳米管超导芯
201710209378.6 发现 2017/3/31 在受理 中国
线材布局及其制备要领
347 真空管快闪影象体布局与
I556413 2016.11.1 2036.3.9 授权 台湾
其制造要领
348 量子阱装置及其形成要领 I569337 2017.2.1 2036.3.2 授权 台湾
349 高压无接面场效应元件及
I565007 2017.1.1 2036.3.9 授权 台湾
其形成要领
350 垂直真空密封奈米碳管場
I569314 2017.2.1 2036.6.6 授权 台湾
效電晶體及其製造要领
中联资产评估团体有限公司 第24页
上海硅财富团体股份有限公司拟股权收购所涉及的
上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估陈诉
序号 专利名称 专利号/申请号 专利种别 有效起日期 有效止日期 法令状态 申请国
351 鳍状场效电晶体及其制备
I573182 2017.2.1 2036.6.6 授权 台湾
要领
352 石英腔體的牢靠治具及清
M536241 2017.2.1 2026.11.3 授权 台湾
洗裝置
353 SOI 基底及其製備要领 I587446 2017/6/11 2037/6/10 授权 台湾
354 晶圓的形成要领 I593023 2016/3/8 2016/3/8 授权 台湾
355 半導體結構及其形成要领 I594335 2016/3/7 2016/3/7 授权 台湾
356 垂直電晶體及其至製備方
I599038 2016/3/14 2036/3/13 授权 台湾
法
357 單晶矽晶錠及晶圓的形成
I589737 2016/3/14 2016/3/14 授权 台湾
要领
358 場效電晶體及其製備要领 I578532 2016/3/11 2016/3/11 授权 台湾
359 CMOS 結構其製備要领 I596708 2016/1/25 2016/1/25 授权 台湾
360 絕緣體上三五族化合物基
I590307 2017/7/1 2037/6/30 授权 台湾
板的製備要领
361 量子阱元件及其形成要领 I578531 2017/4/11 2037/4/10 授权 台湾
362 高壓無接面場效元件及其
I588944 2017/6/21 2037/6/20 授权 台湾
製造要领
363 雙通道 FinFET 元件及其
I587504 2017/6/11 2037/6/10 授权 台湾
製造要领
364 具有漂移區和漸變通道的
高壓無接面場效應元件及 I587404 2017/6/11 2037/6/10 授权 台湾
其形成要领
365 互補奈米線半導體元件及
I585832 2017/6/1 2037/5/31 授权 台湾
其製造要领
366 全密封真空奈米碳管場效
I594307 2017/8/1 2037/7/31 授权 台湾
電晶體及其製造要领
367 晶圓熱處理的要领(二) I585250 2017/6/1 2037/5/31 授权 台湾
368 單晶矽之成長要领及其製
I577841 2017/4/11 2037/4/10 授权 台湾
備之單晶矽錠（二）
369 絕緣層上覆矽基板及其製
I592987 2017/7/21 2037/7/20 授权 台湾
造要领
370 真空管快閃記憶體結構之
I569420 2017/2/1 2037/1/31 授权 台湾
製造要领
371 半導體結構及其形成要领 I587371 2017/6/11 2037/6/10 授权 台湾
372 液晶顯示器面板及其畫素
I589974 2017/7/1 2037/6/30 授权 台湾
單元的製備要领
373 真空管快閃記憶體結構
I590389 2017/7/1 2037/6/30 授权 台湾
之製造要领
374 提高矽晶片磊晶層外貌平
I600071 2016/9/10 2036/9/9 授权 台湾
整度之要领
375 微電子結構及其形成方
I600164 2016/9/23 2036/9/22 授权 台湾
法(一)
376 雙閘極石墨烯場效電晶體
I591729 2017/7/11 2037/7/10 授权 台湾
及其製造要领
377 低落預抽腔體中晶片溫
I576970 2017/4/1 2037/3/31 授权 台湾
度的要领及晶片降溫裝置
中联资产评估团体有限公司 第25页
上海硅财富团体股份有限公司拟股权收购所涉及的
上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估陈诉
序号 专利名称 专利号/申请号 专利种别 有效起日期 有效止日期 法令状态 申请国
378 外貌聲波裝置的製造要领
I594469 2017/8/1 2037/7/31 授权 台湾
及溫度檢測設備
379 區熔法生長單晶矽用氣體
噴射與射頻加熱一體裝置 I592523 2017/7/21 2037/7/20 授权 台湾
及要领
380 晶圓控片及其製造要领 I600070 2016/9/9 2036/9/8 授权 台湾
381 真空奈米管場效電晶體及
I589004 2017/6/21 2037/6/20 授权 台湾
其製造要领
382 熔體設備的保護裝置 I592528 2017/7/21 2037/7/20 授权 台湾
383 一種低溫磊晶要领及裝置 I591699 2017/7/11 2037/7/10 授权 台湾
384 一種半導體晶圓的拋光方
I596668 2017/4/27 2037/4/26 授权 台湾
法
385 一種奈米線記憶體結構及
I587488 2017/6/11 2037/6/10 授权 台湾
其製造要领
386 半導體結構及其形成要领 I605524 2016/3/8 2036/3/7 授权 台湾
387 互補金氧半場效電晶體及
I604604 2016/3/8 2036/3/7 授权 台湾
其製備要领
388 絕緣層上覆矽基板及其製
I611462 2016/6/15 2036/6/14 授权 台湾
造要领
389 製造石墨烯場效電晶體之
I604535 2016/10/7 2036/10/6 授权 台湾
要领
390 減少磊晶晶圓缺陷的形成
I608539 2016/9/14 2036/9/13 授权 台湾
要领
391 單晶矽錠及晶圓的形成方
105126283 2016/8/17 2036/8/16 授权 台湾
法
392 真空奈米管場效電晶體及
I598963 2016/9/21 2036/9/20 授权 台湾
其製造要领
393 石英腔体的清洗裝置及清
105135140 2016/10/28 2036/10/27 授权 台湾
洗要领
394 機械手臂及基板的抓取方
I610397 2016/11/17 2036/11/16 授权 台湾
法
395 晶圓的雙面拋光要领 105133111 2016/10/13 2036/10/12 授权 台湾
396 一種單晶矽生長爐 105136949 2016/11/11 2036/11/10 授权 台湾
397 一種基於奈米線的高電子
遷移率電晶體及其製作方 I607961 2016/11/29 2036/11/28 授权 台湾
法
398 一種形成氧化層和磊晶層
I608133 2016/12/2 2036/12/1 授权 台湾
的要领
399 在石英坩堝中製備矽熔融
I609997 2016/12/14 2036/12/13 授权 台湾
體的要领
400 晶圓片架的取放片裝置 I604557 2017/1/23 2037/1/22 授权 台湾
401 一種晶圓薄化要领及裝置 I602233 2016/12/21 2036/12/20 授权 台湾
402 一種晶圓薄化要领及薄化
I602217 2016/12/23 2036/12/22 授权 台湾
的晶圓結構
403 一種蝕刻裝置及半導體晶
I602226 2017/2/10 2037/2/9 授权 台湾
圓支解要领
404 一種奈米管記憶體結構及
I611563 2017/1/4 2037/1/3 授权 台湾
其製造要领
中联资产评估团体有限公司 第26页
上海硅财富团体股份有限公司拟股权收购所涉及的
上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估陈诉
序号 专利名称 专利号/申请号 专利种别 有效起日期 有效止日期 法令状态 申请国
405 白努利效應的底座及磊晶
105143707 2016/12/28 2036/12/27 授权 台湾
設備
406 晶圓外貌平坦度測量系統 106115519 2017/5/10 2037/5/9 授权 台湾
407 磊晶层的形成要领 105106530 2016/3/3 2036/3/2 授权 台湾
408 矽單晶棒接纳裝置、矽單
晶棒接纳要领、以及液氮 105107085 2016/3/8 2036/3/7 授权 台湾
供應裝置
409 單晶矽晶錠及晶圓的形成
105106935 2016/3/7 2036/3/6 授权 台湾
要领
410 單晶矽錠及晶圓的形成方
105118435 2016/6/13 2036/6/12 授权 台湾
法
411 晶圓熱處理的要领(一) 105113326 2016/4/28 2036/4/27 授权 台湾
412 絕緣層上覆矽基板及其製
105118982 2016/6/16 2036/6/15 授权 台湾
造要领
413 微電子結構及其形成方
105130895 2016/9/23 2036/9/22 授权 台湾
法
414 低落預抽腔體中晶片溫
105125812 2016/8/12 2036/8/11 授权 台湾
度的要领及晶片降溫裝置
415 淘汰磊晶晶圓缺陷的形成
105125356 2016/8/9 2036/8/8 授权 台湾
要领
416 白努利基座裝置及沉積設
105127147 2016/8/24 2036/8/23 授权 台湾
備
417 晶圓金屬污染的評估方
105128040 2016/8/31 2036/8/30 授权 台湾
法
418 基板的抓取裝置及其抓取
105139540 2016/11/30 2036/11/29 授权 台湾
要领
419 一種雷射退火裝置及雷射
105133605 2016/10/18 2036/10/17 授权 台湾
退火要领
420 磊晶生長要领 105138314 2016/11/22 2036/11/21 授权 台湾
421 晶圓的拋光要领 105133329 2016/10/14 2036/10/13 授权 台湾
422 環閘極 III-V 族量子井電
晶體及鍺無接面電晶體及 105132263 2016/10/5 2036/10/4 授权 台湾
其製造要领
423 一種溶劑混和器 105136725 2016/11/10 2036/11/9 授权 台湾
424 半導體晶片濕式清洗設備 105139753 2016/12/1 2036/11/30 授权 台湾
425 柴氏拉晶法生長單晶矽的
105141270 2016/12/13 2036/12/12 授权 台湾
要领
426 一種記憶體結構及其製備
105143229 2016/12/26 2036/12/25 授权 台湾
要领
427 拉晶爐的拉晶機構 106100763 2017/1/10 2037/1/9 授权 台湾
428 一種減少自摻雜的底座及
106102643 2017/1/24 2037/1/23 授权 台湾
磊晶設備
429 溫度傳感器及測溫要领 106101936 2017/1/19 2037/1/18 授权 台湾
430 熱屏組件及單晶提拉爐
106100335 2017/1/5 2037/1/4 授权 台湾
熱場結構
431 新型加熱器及單晶提拉爐
106101062 2017/1/12 2037/1/11 授权 台湾
熱場結構
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上海硅财富团体股份有限公司拟股权收购所涉及的
上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估陈诉
序号 专利名称 专利号/申请号 专利种别 有效起日期 有效止日期 法令状态 申请国
432 顯示螢幕的保護層、顯示
106105997 2017/2/22 2037/2/21 授权 台湾
螢幕、及其形成要领
433 拉晶爐 106105999 2017/2/22 2037/2/21 授权 台湾
434 籽晶夾頭及直拉單晶爐 106101596 2017/1/17 2037/1/16 授权 台湾
435 互補式金屬氧化物半導體
106107272 2017/3/6 2037/3/5 授权 台湾
元件的製造要领
436 浮熔帶法生長晶體的設備
106120429 2017/6/19 2037/6/18 授权 台湾
及要领
437 自動進料系統及進料要领 106107635 2017/3/8 2037/3/7 授权 台湾
438 晶片安排裝置和晶片定向
106123085 2017/7/10 2037/7/9 授权 台湾
儀
439 真空管場效電晶體陣列及
106117058 2017/5/23 2037/5/22 授权 台湾
其製造要领
440 基於程度雷射照射的晶圓
106123084 2017/7/10 2037/7/9 授权 台湾
減薄設備及要领
441 晶圓傳片結構 106121312 2017/6/26 2037/6/25 授权 台湾
442 一種 OLED 結構及其製作
106122285 2017/7/3 2037/7/2 授权 台湾
要领
443 監測基座溫度均勻性的方
105118438 2016/6/13 2036/6/12 授权 台湾
法
444 鰭狀場效電晶體及其製備
105118647 2016/6/14 2036/6/13 授权 台湾
要领
445 石墨烯場效電晶體及其製
105124833 2016/8/4 2036/8/3 授权 台湾
造要领
446 一種磊晶設備、設備製作
105143428 2016/12/27 2036/12/26 授权 台湾
要领及磊晶要领
447 校正晶片及其製造要领 106110385 2017/3/28 2037/3/27 授权 台湾
448 一種磊晶爐矽片基座 I633199 2017/8/23 2037/8/22 授权 台湾
449 拋光設備及檢測要领 106128610 2017/8/23 2037/8/22 授权 台湾
450 晶圓尋邊裝置 106145672 2017/12/26 2037/12/25 授权 台湾
451 監測基座溫度均勻性的方
105118035 2016/6/7 2036/6/6 授权 台湾
法
452 單晶矽之成長要领及其製
105113342 2016/4/28 2036/4/27 授权 台湾
備之單晶矽錠（一）
453 磊晶生長設備 105135781 2016/11/3 2036/11/2 授权 台湾
454 蝕刻要领、蝕刻裝置及半
106103855 2017/2/6 2037/2/5 授权 台湾
導體晶圓支解要领
455 半導體晶盒清洗乾燥儲存
106112992 2017/4/18 2037/4/17 授权 台湾
一體化要领及設備
456 一種基於負電容的環閘場
106105371 2017/2/17 2037/2/16 授权 台湾
效電晶體及其製作要领
457 一種化學機械拋光液及其
106115518 2017/5/10 2037/5/9 授权 台湾
製備要领
458 一種單晶爐 106104270 2017/2/9 2037/2/8 授权 台湾
459 摻雜氣體緩衝裝置、摻雜
106104271 2017/2/9 2037/2/8 授权 台湾
氣體供給裝置及要领
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上海硅财富团体股份有限公司拟股权收购所涉及的
上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估陈诉
序号 专利名称 专利号/申请号 专利种别 有效起日期 有效止日期 法令状态 申请国
460 一種多晶矽二次加料裝置
106109608 2017/3/22 2037/3/21 授权 台湾
及要领
461 一種互補電晶體元件結構
106111938 2017/4/10 2037/4/9 授权 台湾
及其製作要领
462 半導體晶片濕法清洗設備 106109026 2017/3/17 2037/3/16 授权 台湾
463 改进晶圓外貌切割描摹的
106121311 2017/6/26 2037/6/25 授权 台湾
線切割系統
464 帶有溢流腔的尾氣處理裝
106116182 2017/5/16 2037/5/15 授权 台湾
置
465 校正晶片及其製造要领 106111937 2017/4/10 2037/4/9 授权 台湾
466 超導帶及其製造要领 106110386 2017/3/28 2037/3/27 授权 台湾
467 碳化矽晶體(4H-SiC)生長
106118571 2017/6/5 2037/6/4 授权 台湾
要领
468 一種閘陣列無接面半導體
通道記憶體結構及其製備 106118146 2017/6/1 2037/5/31 授权 台湾
要领
469 一種無接面半導體通道閘
陣列記憶體結構及其製備 106120253 2017/6/16 2037/6/15 授权 台湾
要领
470 一種神經元電晶體結構及
106120431 2017/6/19 2037/6/18 授权 台湾
其製備要领
471 晶種牢靠夾及單晶提拉爐 106125956 2017/8/1 2037/7/31 授权 台湾
472 適用於單片式磊晶爐的分
106124966 2017/7/25 2037/7/24 授权 台湾
離式基座元件
473 一種後閘無接面反及閘快
106130196 2017/9/4 2037/9/3 授权 台湾
閃記憶體及其製作要领
474 分離式卡盤裝置以及晶圓
106140654 2017/11/23 2037/11/22 授权 台湾
的研磨製程
475 砂漿供應裝置 106132999 2017/9/26 2037/9/25 授权 台湾
476 遭受器、氣相生長裝置及
106133459 2017/9/28 2037/9/27 授权 台湾
氣相生長要领
477 晶圓接合要领及其接合裝
106109607 2017/3/22 2037/3/21 授权 台湾
置
478 磁控去除矽化物顆粒的尾
106116181 2017/5/16 2037/5/15 授权 台湾
氣處理裝置
479 具有黑磷通道層的低接觸
電阻率 FinFET 及其製備 106117059 2017/5/23 2037/5/22 授权 台湾
要领
480 一種奈米碳管制場效電晶
106122286 2017/7/3 2037/7/2 授权 台湾
體陣列及其製造要领
481 一種半導體元件及其製造
106138860 2017/11/10 2037/11/9 授权 台湾
要领、電子裝置
482 氣相生長裝置及氣相生長
106133460 2017/9/28 2037/9/27 授权 台湾
要领
483 一種矽片少數載子壽命的
106145180 2017/12/22 2037/12/21 授权 台湾
測試要领及測試裝置
484 高壓無接面場效元件及其
105103631 2016/2/3 2036/2/2 授权 台湾
製造要领
中联资产评估团体有限公司 第29页
上海硅财富团体股份有限公司拟股权收购所涉及的
上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估陈诉
序号 专利名称 专利号/申请号 专利种别 有效起日期 有效止日期 法令状态 申请国
485 互補奈米線半導體元件及
105118646 2016/6/14 2036/6/13 授权 台湾
其製備要领
486 液晶顯示器面板及其畫素
105131751 2016/9/30 2036/9/29 授权 台湾
單元的製備要领
487 磊晶設備腔室蓋板 105129864 2016/9/13 2036/9/12 授权 台湾
488 機械手臂的監控系統及其
105137319 2016/11/15 2036/11/14 授权 台湾
監控要领
489 半導體晶圓的拋光要领 106114154 2017/4/27 2037/4/26 授权 台湾
490 一種神經元電晶體結構及
106118147 2017/6/1 2037/5/31 授权 台湾
其製備要领
491 一種矽片製作要领 106126976 2017/8/9 2037/8/8 授权 台湾
492 碳化矽晶體切片移動設備
106124187 2017/7/19 2037/7/18 授权 台湾
及移動要领
493 一種基於雷射水射流的晶
106124970 2017/7/25 2037/7/24 授权 台湾
圓減薄設備及要领
494 宏觀畫痕長度測量裝置 106126978 2017/8/9 2037/8/8 授权 台湾
495 一種半導體元件及其製造
106141268 2017/11/28 2037/11/27 授权 台湾
要领、電子裝置
496 白努利基座裝置及沉積設
105126457 2016/8/18 在受理 台湾
備
497 白努利基座裝置及沉積設
105127316 2016/8/25 在受理 台湾
備
498 白努利基座 105129508 2016/9/10 在受理 台湾
499 晶盒清洗設備 105142807 2016/12/22 在受理 台湾
500 磊晶設備 105130220 2016/9/19 在受理 台湾
501 一種吸附质料、吸附裝置
105134156 2016/10/21 在受理 台湾
及製備要领
502 基於外貌聲波的濕度感測
105134328 2016/10/24 在受理 台湾
器及其製備要领
503 晶圓支撐板組件、拋光裝
105138716 2016/11/24 在受理 台湾
置及晶圓精拋光要领
504 拋光液供應系統及要领 105138717 2016/11/24 在受理 台湾
505 專案任務分派要领、裝
置、電腦設備和專案打点 105141097 2016/12/12 在受理 台湾
系統
506 微波退火製備 3D NAND
106105373 2017/2/17 在受理 台湾
的要领
507 碳化矽晶體(4H-SiC)生長
106112994 2017/4/18 在受理 台湾
設備及要领
508 基於傅立葉轉換紅外光譜
106107275 2017/3/6 在受理 台湾
的特徵化設備
509 測量要领 106120252 2017/6/16 在受理 台湾
510 一種矽片研磨裝置及其研
106125952 2017/8/1 在受理 台湾
磨要领
511 支撐台、改进晶圓或磊晶
生長晶圓外貌的頂針痕跡 106140655 2017/11/23 在受理 台湾
的要领
中联资产评估团体有限公司 第30页
上海硅财富团体股份有限公司拟股权收购所涉及的
上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估陈诉
序号 专利名称 专利号/申请号 专利种别 有效起日期 有效止日期 法令状态 申请国
512 一種半導體晶圓的清洗方
106139281 2017/11/14 在受理 台湾
法
513 一種矽片少數載子壽命的
106145181 2017/12/22 在受理 台湾
測試要领及測試裝置
514 豎直插入式阻擋腳及白努
106127840 2017/8/16 在受理 台湾
利吸盤
515 拋光盤基座、拋光盤、拋
107110183 2018/3/26 在受理 台湾
光機以及最終拋光要领
516 一種晶棒的切割要领及切
107110439 2018/3/27 在受理 台湾
割裝置
517 用於預清洗機的水道裝
置、預清洗機以及預清洗 107101769 2018/1/18 在受理 台湾
要领
518 一种晶圆及其制造要领、
107103145 2018/1/30 在受理 台湾
电子装置
519 一種校準磊晶腔溫度的方
108117794 2019/5/23 在受理 台湾
法
520 一種晶體生長节制要领、
裝置、系統及電腦儲存媒 108120810 2019/6/17 在受理 台湾
體
521 一種單晶矽晶棒的長晶方
108118323 2019/5/28 在受理 台湾
法(一)
522 一種單晶矽晶棒的長晶方
108118371 2019/5/28 在受理 台湾
法(二)
523 一種單晶生長爐的反射屏
108119302 2019/6/4 在受理 台湾
及單晶生長爐
524 一種晶體生長节制要领、
裝置、系統及電腦儲存媒 108121630 2019/6/21 在受理 台湾
體
525 奈米線半導體元件及其製
105127931 2016/8/30 在受理 台湾
造要领
526 石英腔体的清洗要领 105134611 2016/10/26 在受理 台湾
527 低溫磊晶要领及設備 105132931 2016/10/12 在受理 台湾
528 基於二維電子氣的低功耗
105133765 2016/10/19 在受理 台湾
氫氣感測器及其製造要领
529 線切割砂漿供應系統及方
105138950 2016/11/25 在受理 台湾
法
530 坩堝、坩堝的製備要领及
碳化矽晶體(4H-SiC)的生 106109027 2017/3/17 在受理 台湾
長要领
531 單晶生長爐熱屏及其製造
106107636 2017/3/8 在受理 台湾
要领
532 晶棒線切割裝置及晶棒線
106118572 2017/6/5 在受理 台湾
切割要领
533 碳化矽晶體切片設備及切
106124189 2017/7/19 在受理 台湾
片要领
534 研磨台清洗裝置及其清洗
106141267 2017/11/28 在受理 台湾
要领
535 一種半導體元件及其製造
106138701 2017/11/9 在受理 台湾
要领、電子裝置
中联资产评估团体有限公司 第31页
上海硅财富团体股份有限公司拟股权收购所涉及的
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序号 专利名称 专利号/申请号 专利种别 有效起日期 有效止日期 法令状态 申请国
536 METHOD FOR MAKING
III-V NANOWIRE
15/161,504 发现 2015/10/15 2035/10/14 授权 美国
QUANTUM WELL
TRANSISTOR
537 High voltage junetionless
field effect device and its 15/012,873 发现 2015/11/6 2035/11/5 授权 美国
method of fabrication
538 Vertical transistor and the
15/003,809 发现 2016/1/22 2036/1/21 授权 美国
fabrication methods
539 METHOD OF
PREPARATION OF III-V
COMPOUND LAYER ON
15/067,192 发现 2016/3/11 2036/3/10 授权 美国
LARGE AREA SI
INSULATING
SUBSTRATE
540 SOI STRUCTURE AND
15/067,196 发现 2016/3/11 2036/3/10 授权 美国
FABRICATION METHOD
541 THERMAL PROCESSING
15/268,006 发现 2016/9/16 2036/9/15 授权 美国
METHOD FOR WAFER
542 "COMPLEMENTARY
NANOWIRE
SEMICONDUCTOR
DEVICE AND
543 FABRICATION METHOD
THEREOF
544 " 15/268,164 发现 2016/9/16 2036/9/15 授权 美国
545 FINFET AND
FABRICATION METHOD 15/270,966 发现 2016/9/20 2036/9/19 授权 美国
THEREOF
546 FINFET AND
MANUFACTURING 15/270,992 发现 2016/9/20 2036/9/19 授权 美国
METHOD THEREOF
547 Metal-ONO-Vacuum Tube
Charge Trap Flash
(VTCTF) Nonvolatile 15/202,418 发现 2016/7/5 2036/7/4 授权 美国
Memory and the method
for making the same
548 HYBRID INTEGRATION
FABRICATION OF
NANOWIRE GATE-ALL-
15/157,421 发现 2016/5/18 2036/5/17 授权 美国
AROUND GE PFET AND
POLYGONAL III-V PFET
CMOS DEVICE
549 A High-voltage
Junctionless Device with
Drift Region and the 15/012,864 发现 2016/2/2 2036/2/1 授权 美国
Method for Making the
Same
550 THERMAL PROCESSING
15/198,706 发现 2016/6/30 2036/6/29 授权 美国
METHOD FOR WAFER
551 METHOD FOR
GROWING
MONOCRYSTALLINE
SILICON AND 15/198,893 发现 2016/6/30 2036/6/29 授权 美国
MONOCRYSTALLINE
SILICON INGOT
PREPARED THEREOF
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序号 专利名称 专利号/申请号 专利种别 有效起日期 有效止日期 法令状态 申请国
552 METHOD FOR MAKING
III-V NANOWIRE
15/452,764 发现 2017/3/8 2037/3/7 授权 美国
QUANTUM WELL
TRANSISTOR
553 COMPLEMENTARY
METAL-OXIDE-
SEMICONDUCTOR
15/166,076 发现 2016/5/26 2036/5/25 授权 美国
FIELD-EFFECT
TRANSISTOR AND
METHOD THEREOF
554 "COMPLEMENTARY
NANOWIRE
SEMICONDUCTOR
DEVICE AND
555 FABRICATION METHOD
THEREOF
556 " 15/587,484 发现 2017/5/5 2037/5/4 授权 美国
557 SOI SUBSTRATE AND
MANUFACTURING 15/415,609 发现 2017/1/25 2037/1/24 授权 美国
METHOD THEREOF
558 Metal-ONO-Vacuum Tube
Charge Trap Flash
(VTCTF) Nonvolatile 15/783,115 发现 2017/10/13 2037/10/12 授权 美国
Memory and the method
for making the same
559 SOI SUBSTRATE AND
MANUFACTURING 15/198,805 发现 2016/6/30 2036/6/29 授权 美国
METHOD THEREOF
560 METHOD FOR
GROWING
MONOCRYSTALLINE
SILICON AND 15/268,083 发现 2016/9/16 2036/9/15 授权 美国
MONOCRYSTALLINE
SILICON INGOT
PREPARED THEREOF
561 METHOD FOR
FORMING EPITAXIAL 15/134,722 发现 2016/4/21 在受理 美国
LAYER
562 METHOD FOR
15/178,041 发现 2016/6/9 在受理 美国
FORMING WAFER
563 VACUUM TUBE
NONVOLATILE
MEMORY AND THE 15/161,442 发现 2016/5/23 在受理 美国
METHOD FOR MAKING
THE SAME
564 SEMICONDUCTOR
STRUCTURE AND
15/161,472 发现 2016/5/23 在受理 美国
FORMING METHOD
THEREOF
565 SEMICONDUCTOR
STRUCTURE AND
15/166,032 发现 2016/5/26 在受理 美国
METHOD FOR
FORMING THE SAME
566 METHOD FOR
FORMING
MONOCRYSTALLINE 15/165,937 发现 2016/5/26 在受理 美国
SILICON INGOT AND
WAFER
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序号 专利名称 专利号/申请号 专利种别 有效起日期 有效止日期 法令状态 申请国
567 Method for forming
monocrystalline silicon 15/178,080 发现 2016/6/9 在受理 美国
ingot and wafers
568 COMS Structure and
15/004,245 发现 2016/1/22 在受理 美国
fabrication Method thereof
569 SOI STRUCTURE AND
15/166,015 发现 2016/5/26 在受理 美国
FABRICATION METHOD
570 Vertical transistor and the
15/491,985 发现 2017/4/20 在受理 美国
fabrication methods
571 Method For Formation Of
VerticalL Cylindrical GaN 15/077,867 发现 2016/3/22 在受理 美国
Quantum Well Transistor
572 Method For Formation Of
VerticalL Cylindrical GaN 15/491,988 发现 2017/4/20 在受理 美国
Quantum Well Transistor
573 SOI SUBSTRATE AND
MANUFACTURING 15/258,899 发现 2016/9/7 在受理 美国
METHOD THEREOF
574 SOI SUBSTRATE AND
MANUFACTURING 15/268,222 发现 2016/9/16 在受理 美国
METHOD THEREOF
575 SEMICONDUCTOR
STRUCTURE AND
15/271,029 发现 2016/9/20 在受理 美国
METHOD FOR
FORMING THE SAME
576 HYBRID INTEGRATION
FABRICATION OF
NANOWIRE GATE-ALL-
15/491,989 发现 2017/4/20 在受理 美国
AROUND GE PFET AND
POLYGONAL III-V PFET
CMOS DEVICE
577 METHOD FOR
GROWING
MONOCRYSTALLINE
15/392,118 发现 2016/12/28 在受理 美国
SILICON BY USING
CZOCHRALSKI
METHOD
578 COMPLEMENTARY
METAL-OXIDE-
SEMICONDUCTOR
15/836,399 发现 2017/12/8 在受理 美国
FIELD-EFFECT
TRANSISTOR AND
METHOD THEREOF
579 A SLICING METHOD
AND A SLICING
16/109,912 发现 2018/8/23 在受理 美国
APPARATUS FOR AN
INGOT
580 METHOD FOR
GROWING
MONOCRYSTALLINE
SILICON AND 10-2016-0098817 发现 2016/8/3 2036/8/2 授权 韩国
MONOCRYSTALLINE
SILICON INGOT
PREPARED THEREOF
581 METHOD FOR
10-2016-0122782 发现 2016/9/26 2036/9/25 授权 韩国
FORMING WAFER
582 METHOD FOR
10-2016-0092662 发现 2016/7/21 2036/7/20 授权 韩国
FORMING
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上海硅财富团体股份有限公司拟股权收购所涉及的
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序号 专利名称 专利号/申请号 专利种别 有效起日期 有效止日期 法令状态 申请国
MONOCRYSTALLINE
SILICON INGOT AND
WAFER
583 SOI SUBSTRATE AND
MANUFACTURING 10-2017-0023070 发现 2017/2/21 2037/2/20 授权 韩国
METHOD THEREOF
584 Method for forming
monocrystalline silicon 10-2016-0122925 发现 2016/9/26 2036/9/25 授权 韩国
ingot and wafers
585 SOI STRUCTURE AND
10-2016-0123796 发现 2016/9/27 2036/9/26 授权 韩国
FABRICATION METHOD
586 METHOD FOR
FORMING EPITAXIAL 10-2016-0085551 发现 2016/7/6 在受理 韩国
LAYER
587 THERMAL PROCESSING
10-2017-0022621 发现 2017/2/21 在受理 韩国
METHOD FOR WAFER
588 SOI SUBSTRATE AND
MANUFACTURING 10-2017-0023836 发现 2017/2/23 在受理 韩国
METHOD THEREOF
589 SOI SUBSTRATE AND
MANUFACTURING 10-2017-0023872 发现 2017/2/23 在受理 韩国
METHOD THEREOF
590 ウエハ形成要领 2016-123427 发现 授权 日本
591 単結晶シリコソイソゴツ
トあよびウエーハの形成 2016-115362 发现 授权 日本
要领
592 SOI 構造および製造要领 2016-108526 发现 授权 日本
593 単結晶シリコンを成長さ
2016-137621 发现 授权 日本
せる要领
594 SOI 基板及びそよ製造方
2016-139399 发现 授权 日本
法→SOI 基板の製造要领
595 エピタキシャル層を形成
2016-098691 发现 在受理 日本
する要领
596 単結晶シリコソイソゴツ
2016-123431 发现 在受理 日本
ト及びウエハの形成要领
597 ウエハの熱処理要领 2016-146182 发现 在受理 日本
598 SOI 基板及びそよ製造方
2016-186873 发现 在受理 日本
法
599 SOI 基板及びそよ製造方
2016-186878 发现 在受理 日本
法
600 Verfahren zur Ausbukdung
102016113402.3 发现 在受理 德国
einer Epitaxialschicht
601 Method for forming wafer 102016115524.1 发现 在受理 德国
602 Method for forming
monocrystallinne silicon 102016115518.7 发现 在受理 德国
ingot and wafer
603 Method for forming
monocrystallinne silicon 102016118224.9 发现 在受理 德国
ingot and wafers
604 SOI Structureand
102016118509.4 发现 在受理 德国
fabrication method
605 THERMAL PROCESSING
102016114940.3 发现 在受理 德国
METHOD FOR WAFER
中联资产评估团体有限公司 第35页
上海硅财富团体股份有限公司拟股权收购所涉及的
上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估陈诉
（注：暂未填写名称的专利，为申请未提前果真，仍处于保密阶段的专利）
(五)企业申报的表外资产的范例、数量
截至评估基准日，本次评估范畴内被评估企业申报的表外资产为专利
及专利申请权共 605 项，详细清单详见上文。
(六)引用其他机构出具的陈诉的结论所涉及的资产范例、数量和账面
金额
本次评估陈诉中基准日各项资产及欠债账面值系包罗在经普华永道
审计的上海硅财富团体股份有限公司归并报表范畴内（普华永道中天审字
(2019)第 11056 号）。除此之外，未引用其他机构陈诉内容。
四、代价范例及其界说
依据本次评估目标，确定本次评估的代价范例为市场代价。
市场代价是指自愿买方和自愿卖方在各自理性行事且未受任何强迫
的环境下，评估工具在评估基准日举办正常公正生意业务的代价预计数额。
五、评估基准日
1.本项目资产评估的基准日是2019年9月30日；
2.评估基准日是由委托人在综合思量实现经济行为的需要、被评估单
位的资产局限、事情量巨细、估量所需时间、合规性要求，以及管帐期末
提供资料的便利和评估基准日前后利率和汇率的不变，与评估基准日与经
济行为实现日尽大概靠近等因素后确定；
3.本次评估回收的价值均为评估基准日有效的价值尺度。
中联资产评估团体有限公司 第36页
上海硅财富团体股份有限公司拟股权收购所涉及的
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六、评估依据
本次资产评估遵循的评估依据主要包罗经济行为依据、法令礼貌依据、
评估准则依据、资产权属依据及评定估算时回收的取价依据和其他参考资
料等，详细如下：
(一)经济行为依据
上海新昇半导体科技有限公司《姑且董事会会决策》（2020临董002号）。
(二)法令礼貌依据
1.《中华人民共和国资产评估法》(中华人民共和国主席令第46号)；
2.《中华人民共和国公司法》(2013年修订)；
3.《中华人民共和国企业所得税法》(中华人民共和国第十届全国代
表大会第五次集会会议于2007年3月16日通过)；
4.《中华人民共和国企业所得税法实施条例》(2007年11月28日国务
院第197次常务集会会议通过)；
5.《中华人民共和国增值税暂行条例》(国务院令第538号)；
6.《中华人民共和国增值税暂行条例实施细则》(财务部、国度税务总
局令第50号)；
7.《企业国有资产评估打点暂行步伐》国务院国有资产监视打点委员
会令第12号(2005年8月25日)；
8.《企业国有资产监视打点暂行条例》(2011修订)；
9.《关于增强企业国有资产评估打点事情有关问题的通知》(国资委
产权[2006]274号)；
10. 《上海市企业国有资产评估陈诉审核手册》(沪国资委评估
〔2018〕353号) ；
11. 《中华人民共和京城市房地产打点法》(中华人民共和国主席令
第29号，2007年8月30日第十届全国人民代表大会常务委员会第二十九次
中联资产评估团体有限公司 第37页
上海硅财富团体股份有限公司拟股权收购所涉及的
上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估陈诉
集会会议修订)；
12. 《中华人民共和国专利法》(2008年中华人民共和国主席令第8
号)；
13. 《中华人民共和国证券法》（2014年8月31日第十二届全国人民
代表大会常务委员会第十次集会会议修订）；
14. 其他与评估事情相关的法令、礼貌和规章制度等。
(三)评估准则依据
1.《资产评估根基准则》(财资[2017]43号)；
2.《资产评估职业道德准则》(中评协[2017]30号)；
3.《资产评估执业准则—资产评估陈诉》(中评协[2018]35号)；
4.《资产评估执业准则—资产评估委托条约》(中评协[2017]33号)；
5.《资产评估执业准则—资产评估措施》(中评协[2018]36号)；
6.《资产评估执业准则—资产评估档案》(中评协[2018]37号)；
7.《资产评估执业准则—呆板设备》(中评协[2017]39号)；
8.《资产评估执业准则—无形资产》(中评协[2017]37号)；
9.《专利资产评估指导意见》(中评协〔2017〕49号)；
10. 《资产评估代价范例指导意见》(中评协[2017]47号)；
11. 《资产评估执业准则—企业代价》(中评协[2018]38号)；
12. 《资产评估执业准则—操作专家事情及相关陈诉》(中评协
[2017]35号) ；
13. 《资产评估工具法令权属指导意见》(中评协[2017]48号)；
14. 《资产评估机构业务质量节制指南》(中评协[2017]46号) ；
15. 《企业国有资产评估陈诉指南》(中评协[2017]42号)。
(四)资产权属依据
1.《中华人民共和国不动产权证》；
2.《灵活车行驶证》；
中联资产评估团体有限公司 第38页
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3.专利证书；
4.重要资产购买条约或凭证；
5.其他参考资料。
(五)取价依据
1.《中国人民银行贷款利率表》2015年10月24日起执行；
2.中国人民银行外汇打点局发布的2019年9月30日汇率中间价；
3.2018年度机电产物报价手册；
4.设备网上查询价值信息资料；
5.商务部、发改委、公安部、情况掩护部令2012年第12号《灵活车强
制报废尺度划定》；
6.《关于牢靠资产进项税额抵扣问题的通知》(财税[2009]113号)；
7.上海市工程造价信息网有关造价信息资料；
8.中国地皮市场网；
9.被评估单元及其打点层提供的行业先容与阐明，以及被评估单元的
先容、财政资料和盈利预测表等评估基本资料；
10. 被评估单元打点层提供的将来收入、本钱和用度预测表；
11. 被评估单元打点层提供的在手条约及方针客户信息资料；
12. 评估人员收罗的市场信息资料；
13. 中联资产评估团体有限公司价值信息资料库相关资料；
14. 其他参考资料。
(六)其它参考资料
1.《企业管帐准则—根基准则》(财务部令第33号)；
2.《企业管帐准则第1号—存货》等38项详细准则(财会[2006]3号)；
3.《企业管帐准则—应用指南》(财会[2006]18号)；
4.普华永道核定的2019年9月30日管帐报表；
5.《资产评估常用要领与参数手册》(机器家产出书社2011年版)；
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6.Choice金融终端；
7.其他参考资料。
七、评估要领
(一)评估要领的选择
依据资产评估准则的划定，企业代价评估可以回收收益法、市场法、
资产基本法三种要领。收益法是企业整体资产预期赢利本领的量化与现值
化，强调的是企业的整体预期盈利本领。市场法是以现实市场上的参照物
来评价估值工具的现行公正市场代价，它具有估值数据直接取材于市场，
估值功效说服力强的特点。资产基本法是指在公道评估企业各项资产代价
和欠债的基本上确定评估工具代价的思路。
本次评估目标是为上海硅财富团体股份有限公司拟收购上海新昇半
导体科技有限公司股权提供代价参考依据，资产基本法从企业购建角度反
映了企业的代价，为经济行为实现后企业的策划打点及查核提供了依据，
因此本次评估选择资产基本法举办评估。
上海新昇半导体科技有限公司主要从事晶棒出产，从 2016 年开始厂
房建成，2017 年开始试出产，由于其出产技能正在慢慢改造，打点层估量
会很快到达不变出产，其将来年度预期收益与风险也可以公道预计，也适
合回收收益法举办评估。依据本次评估目标，思量到基准日其尚处于生长
期，总体来说，资产基本法、市场法较优，故选取资产基本法、市场法进
行评估。
综上，本次评估确定回收资产基本法和市场法举办评估。
(二)资产基本法先容
资产基本法，是以在评估基准日从头制作一个与评估工具沟通的企业
中联资产评估团体有限公司 第40页
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或独立赢利实体所需的投资额作为判定整体资产代价的依据，详细是指将
组成企业的各类要素资产的评估值加总减去欠债评估值求得企业代价的
要领。
种种资产及欠债的评估要领如下：
1.活动资产
(1)钱币资金
钱币资金包罗现金、银行存款。对人民币现金及银行存款，以核实后
账面值为评估值。
(2)应收类账款
对应收账款、其他应收款的评估，评估人员在对应收类账款核实无误
的基本上，借助于汗青资料和此刻观测相识的环境，详细阐明数额、欠款
时间和原因、金钱接纳环境、欠款人资金、信用、策划打点近况等。应收
类账款账龄较短，冰球突破，且基准日后大部门已收回，暂无坏账风险。故本次按核
实后账面值确定评估值。
(3)预付账款
对预付账款的评估，评估人员核实了账簿记录、查抄了原始凭证等相
关资料，查阅了相关条约或协议，相识了评估基准日至评估现场功课日期
间已接管的处事和收到的货品环境。未发明供货单元有破产、取消或不能
按条约划定定时提供货品或劳务等环境，故以核实后账面值作为评估值。
(4)存货
存货为在途物资、原质料在产物及产制品。评估人员在核实数量和质
量的基本上，回收市场法评估。
个中：在途物资为近期购入的质料其价值颠簸不大，账面代价与市场
代价基内情符，故以核实后账面代价确定评估代价。
原质料中入口原质料中关税及海内运输费全部进当期损益，评估凭据
加计相关的关税及海内运输费确定评估值。海表里购原质料与近期购入的
中联资产评估团体有限公司 第41页
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质料其价值颠簸不大，账面代价与市场代价基内情符，以核实后的存货金
额确定评估代价。
在产物主要为企业领用的原质料，账面净值根基反应了在产物的现行
代价，故以核实后的账面净值确定评估值。
对产制批评估，是按照企业提供的同型号产物在基准日四周时期的不
含税销售价值扣除相应的税费后确定评估值，计较公式为：
产制品的评估值=评估单价×实际数量
=不含税销售单价×[1-销售用度率-销售税金及附加率-销售利润率
×所得税率-销售利润率×(1-所得税率)×净利润折减率]×实际数量
个中：
不含税销售单价：按照企业提供的基准日四周时期同型号产物不含税
销售价值；
销售用度率：按照2019年9月30日核定报表，求得平均销售用度率；
销售税金及附加率：按照2019年9月30日核定报表，求得平均销售税金
及附加率；
销售利润率：今朝企业尚处于吃亏状态，销售利润率按零计较；
所得税率：被评估企业基准日企业所得税税率；
净利润扣减率：对正常销售的产物，一般环境下，净利润折减率按50%
思量。
对付企业计提的产制品存货减价筹备，本次评估为零元。
(5)其他活动资产
其他活动资产为企业留抵增值税，本次按核实后账面值确定评估值。
2.非活动资产
(1)牢靠资产
1)修建物类资产
纳入评估范畴的衡宇建(构)筑物均已落成并投入利用。房地产评估一
中联资产评估团体有限公司 第42页
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般回收的根基要领有：市场较量法、收益法、本钱法、假设开拓法等，评
估人员应按照差异环境选用相应的要领举办评估。
按照《房地产估价类型》及《资产评估准则——不动产》的相关划定，
该当按照评估工具的特点、代价范例、资料收集环境等相关条件，阐明市
场较量法、收益法、本钱法、假设开拓法等要领的合用性选择得当的评估
要领,若工具适宜回收多种估价要领举办评估的，应同时回收多种估价方
法举办评估。同时，有条件回收市场较量法举办评估的，应以市场法作为
主要的评估要领。
房地产评估要领有市场法、收益法、假设开拓法、本钱法等，由于评
估工具是家产修建，雷同房产的市场生意业务不活泼、成交案例能难以取得；
雷同家产修建整体租赁的案例很少，租金收益难以取得，故不合用市场法
和收益法。评估工具所涉及的地皮上已建修建物，将来没有从头开拓的计
划，故不适合回收假设开拓法。因此，本次对衡宇建(构)筑物评估回收重
置本钱法举办。
计较公式：评估值=重置全价×成新率
①重置全价
重值全价=修建安装工程造价(不含税价)+前期及其他用度(不含税
价)+资金本钱
a)建安工程造价简直定
修建安装工程造价包罗土建工程、装饰工程、安装工程的总价，工程
造价回收重编预算法举办计较，套用《上海市修建和装饰工程预算定额
（2016）》、《上海市安装工程预算定额（2016）》等划定的费率，首先
计较出工程直接费及其他划定用度，然后按照上海市修建建材业市场打点
总站宣布的《上海市工程造价信息 2019 年第 3 季度信息价》计取工程人材
机价差，确定建安综合造价。
b)前期及其他用度简直定
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衡宇修建物的前期及其他用度套用财务部、建树部的有关划定收取的
建树用度及建树单元为建树工程而投入的除修建造价外的其它用度两个
部门。
c)资金本钱简直定
资金本钱系在建树期内为工程建树所投入资金的贷款利钱，其回收的
利率按基准日中国人民银行划定尺度计较，工期按建树正常公道周期计较，
并按匀称投入思量。
②成新率
本次评估衡宇修建物成新率简直定，参照差异布局的衡宇修建物的经
济寿命年限，并通过评估人员对各建(构)筑物的实地勘测，对建(构)筑物
的基本、承重构件(梁、板、柱)、墙体、地面、屋面、门窗、墙面粉刷、
吊顶及上下水、通风、电照等各部门的勘测，按照原城乡情况建树掩护部
宣布的《衡宇完损品级评定尺度》、《判断衡宇新旧水平参考依据》和《房
屋差异成新率的评分尺度及批改系数》，团结修建物利用状况、维修调养
环境，别离评定得出各修建物的尚可利用年限。
成新率按照衡宇已利用年限僧人可利用年限计较。
成新率=尚可利用年限/(已利用年限+尚可利用年限)×100%
③评估值的计较
评估值=重置全价×成新率
2)设备类资产
按照本次评估目标，凭据一连利用原则，以市场价值为依据，团结委
估设备的特点和收集资料环境，主要回收本钱法举办评估。
本钱法计较公式：评估代价=重置全价×成新率
①呆板设备及电子设备
A.重置全价简直定
重置全价由设备购买费、运杂费、安装工程费、其他用度等构成。基
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准日新昇半导体为增值税一般纳税人缴纳单元，故设备重置全价剔除增值
税。重置全价计较公式：
国产外购设备重置全价=设备购买价(不含税)+运杂费(不含税)+安装
调试费(不含税)+前期用度(不含税)+资金本钱
入口设备重置全价=CIF 价＋关税＋银行手续费＋外贸手续费＋海内
运杂费(不含税)＋安装调试费(不含税)＋前期用度(不含税)＋资金本钱
a.设备购买价或 CIF 价确定
向设备的出产厂家、署理商及经销商询价，查询设备价值信息网的报
价，可以或许查询到基准日市场价值的设备，以市场价确定其购买价；对无法
询价及查阅到价值的设备，用雷同设备的现行市价加以确定。
b.运杂费简直定
设备运杂费是指从产地到设备安装现场的运输用度。运杂费率以设备
购买价为基本，按照出产厂家与设备安装地址地的间隔差异，按差异运杂
费率计取。如供货条件约定由供货商认真运输和安装时(在购买价值中已
含此部门价值)，则不计运杂费。
c.安装调试费简直定
参考《资产评估常用数据与参数手册》等资料，凭据设备的特点、重
量、安装难易水平，以含税设备购买价为基本，按差异安装费率计取。
对小型、无须安装的设备，不思量安装调试费。
d.前期及其他用度简直定
前期及其他用度套用财务部、建树部的有关划定收取的建树用度及建
设单元为建树工程而投入的除修建造价外的其它用度两个部门。
e.资金本钱简直定
资金本钱系在建树期内为工程建树所投入资金的贷款利钱，其回收的
利率按基准日中国人民银行划定尺度计较，工期按建树正常公道周期计较，
并按匀称投入思量。
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f.入口设备相关的关税、增值税、银行财政费、外贸手续费等，参照
《机器家产建树项目概算体例步伐及各项概算指标》(1995)关于“入口设
备用度计较步伐”之划定确定。
B.成新率简直定
在本次评估进程中，团结设备的经济利用寿命、现场勘测环境估量设
备尚可利用年限，并进而计较其成新率。其公式如下：
成新率=尚可利用年限／(实际已利用年限+尚可利用年限)×100%
对代价量较小的一般设备和电子设备则回收年限法确定其成新率。
C.评估代价简直定
评估代价=重置全价×成新率
②运输车辆
A.重置全价简直定
按照内地经销商报价确定本评估基准日的运输车辆价值，在此基本上
按照《中华人民共和国车辆购买税暂行条例》及内地相关文件计入车辆购
置税、新车上户牌照手续费等，确定其重置全价：
重置全价=现行不含税购买价+车辆购买税+新车上户牌照手续费等
a.现行购价主要取自内地汽车市场现行报价或参照网上报价；
b.车辆购买税按国度相关划定计取；
c.新车上户牌照手续费等按内地交通打点部分划定计取。
B.成新率简直定
对付运输车辆，按照《商务部、发改委、公安部、情况掩护部令 2012
年第 12 号》的有关划定，按以下要领确定成新率后取其较小者为最终成新
率，即：
利用年限成新率=(1-已利用年限／经济利用年限)×100%
行驶里程成新率=(1-已行驶里程／划定行驶里程)×100%
成新率=Min(利用年限成新率，行驶里程成新率)
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同时看待估车辆举办须要的勘测判断，若勘测判断功效与按上述要领
确定的成新率相差较大，则举办适当的调解，若两者功效相当，则不举办
调解。
C.评估代价简直定
评估代价=重置全价×成新率
(2)在建工程
在建工程为设备安装工程，评估人员经查阅设备购买条约、付款凭证
等相关资料举办清查、核实。经清查，上述设备已到并部门安装，尚未投
入利用，企业入账代价已包括成本化利钱，故本次按核实后账面值确认。
(3)无形资产
无形资产主要为地皮利用权及其他无形资产。
1)无形资产-地皮利用权
按照中华人民共和国房地产评估类型，地皮利用权评估凡是有市场比
较法，收益法、本钱法、假设开拓法及基准地价系数修处死。本次评估根
据评估目标要求，针对评估工具详细环境，以及大概收集到的资料，回收
适宜的评估要领举办评估。
评估工具为家产用地，周边缺乏同类地皮租赁案例，故不合用收益法；
地皮已开拓完成，故不合用假设开拓法；由于该地域动迁政策环境等基本
资料无法查得，因此不适合回收本钱法评估。
评估工具所处区域内家产地皮地皮出让案例较多，故合用市场较量法
求取；上海市于 2013 年发布了《上海市 2013 年基准地价更新成就》，评
估工具处于基准地价区域范畴内，地皮个体状况较为明晰，切合基准地价
批改体系的要求，故合用基准地价系数修处死。
鉴于上述环境，本次评估别离回收市场较量法和基准地价系数修处死
举办评估，再举办较量阐明，取较为公道的功效作为评估值。
①市场较量法
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市场较量法是在求取一宗待估地皮的价值时，按照替代原则，将待估
宗地与较近时期内已经产生了生意业务的雷同地皮实例加以较量比较，并依据
后者已知的价值，参照该地皮的生意业务环境、期日、区域以及个体因素等差
别，批改得出待估宗地在评估基准日地价的一种要领。其根基公式为：
宗地地价=VB×A×B×D×E
式中：
VB：较量实例价值；
A：待估宗地环境指数／较量实例宗地环境指数
=正常环境指数／较量实例宗地环境指数
B：待估宗地估价期日地价指数／较量实例宗地生意业务日期地价指数
D：待估宗地域域因素条件指数／较量实例宗地域域因素条件指数
E：待估宗地个体因素条件指数／较量实例宗地个体因素条件指数
②基准地价系数修处死
基准地价系数修处死是按照替代原则，首先选取与评估工具相应的土
地级别及用途沟通的基准地价，然后对选取的基准地价举办期日、年期、
区域因素、个体因素、容积率及地皮开拓水平举办批改，获得评估工具土
地价值。计较公式：
待估地皮价值=基准地价×(1+期日批改系数)×年期批改系数×容积
率批改系数×(1+∑Ki)+地皮开拓水平批改
式中：∑Ki为区域因素和个体因素各项批改系数之和
2)无形资产-其他无形资产
其他无形资产为外购办公软件。另企业申报的账面未记录的无形资产
为专利及专利申请权共计605项。
①外购软件
对外购软件，回收市场法举办评估。
②专利
中联资产评估团体有限公司 第48页
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无形资产评估的要领凡是有本钱法、市场法和收益法三种。
市场法主要通过在活泼的专利、专有技能市场或成本市场上选择相
同或相似的专利或专有技能作为参照物，同时针对各类代价影响因素，
如专利技能的成果举办类比，将被评估专利或专有技能与参照物举办价
格差此外较量调解，阐明各项调解功效、从而确定专利或专有技能的价
值。利用市场法评估专利或专有技能的须要前提包罗：市场数据果真化
水平较高；存在可比的专利或专有技能；参照物的代价影响因素明晰且
可以或许量化等，专利或专有技能市场法评估中利用频率较高的是成果性类
比法。由于我国专利、专有技能市场生意业务今朝尚处于低级阶段，雷同专
利、专有技能的公正生意业务数据收罗较为坚苦，因此市场法在本次评估应
用中可操纵性较差。
收益法是以被评估专利、专有技能将来所能缔造的收益的现值来确
定评估代价，对专利、专有技能等无形资产而言，其代价主要来历于直
接变卖该等无形资产的收益，可能通过利用该等无形资产为其产物或服
务注入技能加成而实现的超额收益。由于上海新昇半导体科技有限公司
无形资产相关产物今朝尚处于试出产阶段，因企业出产技能尚需改造，
打点层也无法确定何时可以或许不变并量产，故与无形资产相关的无法形容
预期收益与风险难以公道预计，故本次不合用收益法评估。
本钱法通过阐明从头开拓出被评估专利资产所需耗费的物化劳动来
确定评估代价。本钱法评估一般合用于策划与收益之间不存在较不变的
对应干系，相应产物价值存在弱市场性的专利、专有技能评估。本钱法
评估从从头购建的角度反应无形资产代价。思量到本次申报评估的专利
及专利申请权，其研发进程中所产生的人工及其他用度可以取得，故可
回收本钱法举办评估。
综上，本次评估选用本钱法对无形资产举办评估。
无形资产本钱主要由其研制中投入的物化劳动，主要本钱为研制开
中联资产评估团体有限公司 第49页
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发人员的职工薪酬、研发质料及专利申请相关用度等组成。无形资产所
占用的研发用度的投资回报主要思量资金本钱。无形资产因技能产物的
更新换代及被新的技能取代等因素，将导致其技能的陈旧性贬值。
无形资产代价的评估模子为：
A=B×(1-Q)
A：无形资产评估值
B：研发用度与研发用度投资回报之和
Q：技能的陈旧率
Q=技能已利用年限/(技能已利用年限+估量尚可利用时间)
(4)恒久待摊用度
恒久待摊用度为二期安装工程险。评估人员在清稽核实的基本长举办
评估，以核实后的账面值作为评估值。
(5)其他非活动资产
其他非活动资产为预付设备款及工程款。评估人员在清稽核实的基本
长举办评估，以核实后的账面值作为评估值。
(6)欠债
欠债主要由应付账款、预收账款、应付职工薪酬、应交税费、其他应
付款、一年内到期的非活动欠债、恒久借钱及递延收益等构成，评估人员
在清稽核实的基本长举办评估，检讨核实各项欠债在评估目标实现后的实
际债务人和欠债额，以评估目标实现后的产权所有者实际需要包袱的欠债
项目及金额确定评估值。
(三)市场法简介
1.概述
企业代价评估中的市场法，是指将评估工具与可比上市公司可能可比
生意业务案例举办较量，确定评估工具代价的评估要领。市场法常用的两种具
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体要领是上市公司较量法和生意业务案例较量法。
上市公司较量法是指获取并阐明可比上市公司的策划和财政数据，计
算适当的代价比率，在与被评估企业较量阐明的基本上，确定评估工具价
值的详细要领。
生意业务案例较量法是指获取并阐明可比企业的交易、收购及归并案例资
料，计较适当的代价比率，在与被评估企业较量阐明的基本上，确定评估
工具代价的详细要领。
2.技能思路
(1)回收市场法时，该当选择与被评估公司举办较量阐明的可比公司，
担保所选择的可比公司与被评估公司具有可比性。可比公司凡是该当与被
评估公司属于同一行业，或受沟通经济因素的影响。详细来说一般需要具
备如下条件：
A．必需有一个充实成长、活泼的市场；
B．存在三个或三个以上沟通或雷同的参照物；
C．可比公司与被评估公司的代价影响因素明晰，可以量化，相关资料
可以汇集。
(2)由于并购案例资料难以收集，且无法相识个中详细生意业务条款及是
否存在非市场代价因素，因此本次评估不选用生意业务案例较量法。思量到该
行业存在可比上市公司，本次评估选择回收上市公司较量法，即将被评估
公司与同行业的上市公司举办较量，对这些上市公司企业代价和经济数据
作适当的批改，以此估算被评估公司的公道代价的要领。
(3)运用上市公司较量法步调如下：
A．汇集同行业上市公司信息，选取和确定可比上市公司。
B．阐明选取代价比率。
C．阐明调解财政数据。
D．查询计较每个可比上市公司代价比率。
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E．阐明晰定批改代价比率批改因素，并计较批改后的代价比率。
F．按照计较批改后的代价比率，计较被评估公司可比代价。
G．对被评估公司可比代价举办阐明调解，确定最终评估。
(4)回收上市公司较量法评估股东全部权益代价的根基公式如下：
股东全部权益代价=(股东全部权益可比代价+非策划性资产代价+溢
余资产代价)×(1-非畅通折扣率)
3.详细要领选择
按照本项目标实际环境及资料取得环境，本项目评估选取上市公司比
较法作为详细要领。再按照被评估企业详细环境和收集资料环境阐明晰定
代价比率。
八、评估措施实施进程和环境
整个评估事情分四个阶段举办：
(一)评估筹备阶段
1.委托人召集本项目各中介协调会，有关各方就本次评估的目标、评
估基准日和评估范畴等问题协商一致，并制订出本次资产评估事情打算。
2.共同企业举办资产清查、填报资产评估申报明细表等事情。评估项
目组人员对委估资产举办了具体相识，部署资产评估事情，协助企业举办
委估资产申报事情，收集资产评估所需文件资料。
(二)现场评估阶段
本次评估的资产清稽核实及尽职观测，是在企业主要资产的地址地现
场举办。回收的要领主要是通过对企业现场清查、旅行、以专题座谈会的
形式，对被评估单元的策划性资产的近况、出产条件和本领以及汗青策划
状况、策划收入、本钱、期间用度及其组成等的状况举办观测复核。
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按照本次项目整体时间布置，现场评估阶段是2020年4月中旬。凭据本
次评估确定回收的评估要领，对企业申报的评估范畴内资产举办清查和核
实，主要事情如下：
1.听取委托人及被评估企业有关人员先容企业总体环境和纳入评估
范畴资产的汗青及近况，相识企业的财政制度、策划状况、牢靠资产技能
状态等环境；
2.对企业提供的资产评估申报明细表举办审核、辨别，并与企业有关
财政记录数据举办查对，对发明的问题协同企业做出调解；
3.按照资产评估申报明细表，对实物类资产举办现场清查和盘货；
4.查阅收集纳入评估范畴资产的产权证明文件，对被评估企业提供的
权属资料举办磨练，核实资产权属环境。统计资产瑕疵环境，请被评估企
业核实并确认这些资产是否属于企业、是否存在产权纠纷；
5.按照纳入评估范畴资产的实际状况和特点，确定种种资产的详细评
估要领；
6.对修建物及设备类资产，相识打点制度和维护、改建、扩建环境，
查阅并收集技能资料、决算资料、竣工验收资料等相关资料；对通用设备，
主要通过市场调研和查询有关资料，收集价值资料；
7.评估工具执行的税率税费及纳税环境；
8.评估工具的业务范例、汗青策划业绩和策划模式等；
9.证券市场、产权生意业务市场等市场的有关资料；
10. 可比企业的财政信息、股票价值可能股权生意业务价值等资料；
11. 与本次评估有关的其他环境。
(三)评估汇总阶段
对收集的评估资料举办须要阐明、归纳和整理，形成评定估算的依据；
按照评估工具、代价范例、评估资料收集环境等相关条件，选择合用的评
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估要领，选取相应的公式和参数举办阐明、计较和判定，形成劈头评估结
果。
(四)提交陈诉阶段
在上述事情基本上，起草劈头资产评估陈诉，劈头审核后与委托人就
评估功效互换意见。在独立阐明相关意见后，按评估机构内部资产评估报
告审核制度和措施举办批改调解，最后出具正式资产评估陈诉。
九、评估假设
本次评估中，评估人员遵循了以下评估假设：
(一)一般假设
1.生意业务假设
生意业务假设是假定所有待评估资产已经处在生意业务的进程中，评估师按照
待评估资产的生意业务条件等模仿市场举办估价。生意业务假设是资产评估得以进
行的一个最根基的前提假设。
2.果真市场假设
果真市场假设，是假定在市场上生意业务的资产，或拟在市场上生意业务的资
产，资产生意业务两边互相职位平等，互相都有获取足够市场信息的时机和时
间，以便于对资产的成果、用途及其生意业务价值等做出理智的判定。果真市
场假设以资产在市场上可以果真交易为基本。
3.资产一连策划假设
资产一连策划假设是指评估时需按照被评估资产按今朝的用途和使
用的方法、局限、频度、情况等环境继承利用，可能在有所改变的基本上
利用，相应确定评估要领、参数和依据。
(二)非凡假设
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1.本次评估假设评估基准日后国度现行的宏观经济、金融以及财富政
策等外部经济情况不会产生不行预见的重大倒霉变革。
2.假设评估工具所处的社会经济情况以及所执行的税赋、税率等政策
无重大变革，信贷政策、利率、汇率根基不变。
3.本次评估的各项资产均以评估基准日的实际存量为前提，有关资产
的现行市价以评估基准日的海内有效价值为依据。
4.评估工具策划业务正当，并不会呈现不行预见的因素导致其无法持
续策划。
5.以一连利用和果真市场为前提，确定的现行市场代价，没有思量将
来大概包袱的抵押、包管事宜，以及非凡的生意业务方法大概追加支付的价值
等对其评估代价的影响，也未思量国度宏观经济政策产生变革以及遇有自
然力和其它不行抗力对资产价值的影响。
当上述条件产生变革时，评估功效一般会失效。
十、评估结论
按照有关法令礼貌和资产评估准则，回收资产基本法和市场法，凭据
须要的评估措施，对上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益在评估基
准日 2019 年 9 月 30 日的市场代价举办了评估。
(一) 评估功效
回收资产基本法，得出被评估单元在评估基准日 2019 年 9 月 30 日的
评估结论：
总资产账面值 234,579.62 万元，评估值 278,475.04 万元，评估增值
43,895.42 万元，增值率 18.71%。
欠债账面值 167,539.32 万元，评估值 78,748.96 万元，评估减值
88,790.36 万元，减值率 53.00%。
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净资产账面值 67,040.30 万元，评估值 199,726.08 万元，评估增值
132,685.78 万元，增值率 197.92%。详见下表。
资产评估功效汇总表
被评估单元：上海新昇半导体科技有限公司 评估基准日：2019 年 9 月 30 日 金额单元：人民币万元
账面代价 评估代价 增减值 增值率％
项 目
B C D=C-B E=D/B×100%
1 活动资产 40,543.06 41,046.21 503.15 1.24
2 非活动资产 194,036.56 237,428.83 43,392.27 22.36
3 牢靠资产 143,011.98 155,373.82 12,361.84 8.64
4 个中：建 筑 物 22,375.47 26,241.96 3,866.49 17.28
5 设 备 120,636.52 129,131.86 8,495.34 7.04
6 在建工程 25,683.96 25,683.96 - -
7 无形资产 8,385.22 39,415.65 31,030.43 370.06
8 个中：地皮利用权 6,779.90 13,182.53 6,402.63 94.44
9 恒久待摊用度 94.42 94.42 - -
10 递延所得税资产 - - -
11 其他非活动资产 16,860.98 16,860.98 - -
12 资产总计 234,579.62 278,475.04 43,895.42 18.71
13 活动欠债 42,887.94 42,887.94 - -
14 非活动欠债 124,651.38 35,861.02 -88,790.36 -71.23
15 欠债总计 167,539.32 78,748.96 -88,790.36 -53.00
16 净 资 产（所有者权益） 67,040.30 199,726.08 132,685.78 197.92
资产基本法评估结论具体环境见评估明细表。
(二) 市场法评估功效
回收市场法评估，上海新昇半导体科技有限公司净资产账面值为
67,040.30 万元，评估值为 220,700.00 万元，评估增值 153,659.70 万元，
增值率 229.20%。
评估功效阐明及最终评估结论
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1.评估功效阐明
本次评估回收资产基本法得出的股东全部权益代价为199,726.08万
元，比市场法测算得出的股东全部权益代价220,700.00万元低20,973.92
万元。两种评估要领差此外原因主要是：
(1)资产基本法评估是以资产的本钱重置为代价尺度，反应的是资产
投入(购建本钱)所淹灭的社会须要劳动，这种购建本钱凡是将跟着百姓经
济的变革而变革；
(2)市场法是从整体市场的表示和将来的预期来评定企业的代价，是
企业在某时点所反应的外部市场价值，其功效会受到市场投资情况、投机
水平、以及投资者信心等一些因素影响而颠簸相对猛烈。
综上所述，从而造成两种评估要领发生差别。
2.最终评估结论
市场法所选用的股票市值未能浮现大股东真实变现所发生的种种变
现本钱，如大额抛售对每股价值的影响等，以及市场法功效会受到市场投
资情况、投机水平、以及投资者信心等一些因素影响而颠簸相对猛烈。 而
资产基本法是对企业账面资产和欠债的现行公允代价举办评估，是以企业
要素资产的再建为出发点。相对而言，资产基本法的评估功效较能公道反
应被评估企业股东全部权益于评估时点的市场代价。
通过以上阐明，我们选用资产基本法评估功效199,726.08万元作为本
次公司股东全部权益(净资产)代价参考依据。
(三) 评估结论与账面代价较量变换环境及原因
被评估企业的资产基本法评估功效较其净资产账面值增值的主要原
因是：
1.存货评估增值：系由于原质料账面本钱为关税完税价值，本次评估
代价由关税完税价值、关税及海内运输费等构成，导致评估增值；
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2.牢靠资产增值：系修建物及设备评估增值，修建物评估增值系评估
基准日较制作时期人、材、机的价值小幅上涨；设备评估增值系入口设备
汇率变换，思量了项目建树相关的前期用度及其他用度，企业计提牢靠资
产折旧的速度较快，以及本次评估思量了上海市区客车牌照代价；
3.递延收益评估减值，系由于递延收益为非直接性欠债，为将来不需
付出的金钱，本次按递延收益确认时应缴的企业所得税确定评估代价。
上述因素配合浸染，导致被评估企业股东全部权益(净资产)评估增值。
十一、出格事项说明
评估陈诉利用人在利用本评估陈诉时，应存眷以下出格事项对评估结
论大概发生的影响，在依据本陈诉自行决定时给以充实思量。
(一) 权属等主要资料不完整可能存在瑕疵的景象
（1）产权瑕疵事项
评估人员未发明产权瑕疵事项。委托人与被评估单元亦明晰说明不存
在产权瑕疵事项。
（2）抵押包管事项
截至评估基准日，被评估企业抵押借钱主要为与招商银行上海华灵支
行签订的两年期浮动利率借钱协议下的人民币借钱270,000,000.00元，借
款额度人民币507,000,000.00元，由上海新昇241,832,925.29元的已购机
器设备及估价558,167,074.71元的待采购呆板设备合计800,000,000.00
元的呆板设备作抵押，并由上海硅财富团体股份有限公司提供包管，借钱
期限为2019年3月39日至2021年3月29日，借钱的年利率为4.9875%，利钱每
季度付出一次，本金应于2021年3月29日前分批送还。
2019年8月6日，新昇半导体与上海银行签订编号为“23019002001”
的牢靠资产借钱条约，借钱期限自2019年8月6日至2024年5月30日，借钱
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金额为人民币100,000.00万元，用于集成电路制造用300毫米硅片技能研
发与财富化一期扩产项目。上述借钱由上海硅财富团体股份有限公司提
供担保包管，以及上海新昇半导体科技有限公司提供设备抵押包管，
以上事项特提醒陈诉利用者留意。
(二)委托人未提供的其他要害资料说明
评估人员未发明有委托人未提供的其他要害资料。委托人亦明晰说明
不存在其他要害资料未提供环境。
(三)未决事项、法令纠纷等不确定因素
评估人员未获悉企业存在未决事项、法令纠纷等不确定因素。委托人
与被评估单元亦明晰说明不存在未决事项、法令纠纷等不确定因素。
(四) 重要的操作专家事情及相关陈诉环境
本次评估陈诉中基准日各项资产及欠债账面值系包罗在经普华永道
审计的上海硅财富团体股份有限公司归并报表范畴内（普华永道中天审字
(2019)第 11056 号）。
除此之外，未引用其他机构陈诉内容。
(五)重大期后事项
期后事项是指评估基准日之后出具评估陈诉之前产生的重大事项。
本次评估申报范畴内的衡宇修建物共19幢，位于上海市浦东新区云水
路1000号内，衡宇总修建面积102,982.05平方米，于评估基准日尚未取得
不动产权证，地皮由“沪房地浦字(2016)第279070号”《上海市房地产权
证》确权，为出让家产用地。上述修建物已于2019年10月24日取得“沪（2019）
浦字不动产权第117292号”《中华人民共和国不动产权证》。
除上述事项外，评估人员未发明其他重大期后事项，委托人与被评估
单元亦明晰奉告不存在其他重大期后事项。
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(六)评估措施受限的有关环境、评估机构采纳的补充法子及对评估结
论影响的说明
评估人员未发明影响资产核实事项。委托人与被评估单元亦明晰说明
不存在影响资产核实事项。
(七)其他需要说明的事项
1.关于专利及专利申请权评估
依据上海新昇半导体科技有限公司提供的资料，新昇公司申报评估范
围内的专利或专利申请权，因受市场的变革和技能更新的影响，原开拓及
申请的部门专利或专利申请权所对应的技能，公司今朝未利用，打点层目
前估量将来也不会利用。本次评估，以企业申报的研发本钱总金额，按企
业今朝在用的专利或专利申请权占申报的专利或专利申请权的比例举办
调解，以调解后的研发本钱为基数估算专利或专利申请权评估代价。以上
事项特提醒陈诉利用者留意。
2.评估师和评估机构的法令责任是对本陈诉所述评估目标下的资产
代价量做出专业判定，并不涉及到评估师和评估机构对该项评估目标所对
应的经济行为做出任何判定。评估事情在很洪流平上，依赖于委托人及被
评估单元提供的有关资料。因此，评估事情是以委托人及被评估单元提供
的有关经济行为文件，有关资产所有权文件、证件及管帐凭证，有关法令
文件的真实正当为前提。
3.评估进程中，评估人员调查所评估衡宇修建物的概况，在尽大概的
环境下察看了修建物内部装修环境和利用环境，未举办任何布局和材质测
试。在对设备举办清查时，因检测手段限制及部门设备正在运行等原因，
主要依赖于评估人员的外观调查和被评估单元提供的近期检测资料及向
有关操纵利用人员的询问环境等判定设备状况。
4.本次评估范畴及回收的由被评估单元提供的数据、报表及有关资料，
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委托人及被评估单元对其提供资料的真实性、完整性认真。
5.评估陈诉中涉及的有关权属证明文件及相关资料由被评估单元提
供，委托人及被评估单元对其真实性、正当性包袱法令责任。
6.在评估基准日今后的有效期内，假如资产数量及作价尺度产生变革
时，应按以下原则处理惩罚：
(1)当资产数量产生变革时，应按照原评估要领对资产数额举办相应
调解；
(2)当资产价值尺度产生变革、且对资产评估功效发生明明影响时，委
托人应实时礼聘有资格的资产评估机构从头确定评估代价；
(3)对评估基准日后，资产数量、价值尺度的变革，委托人在资产实际
作价时应给以充实思量，举办相应调解。
7.评估师执行资产评估业务的目标是对评估工具代价举办估算并发
表专业意见，并不包袱相关当事人决定的责任。评估结论不应当被认为是
对评估工具可实现价值的担保。
8.本次评估工具为被评估单元股东全部权益，未思量资产活动性对评
估结论的影响。
十二、资产评估陈诉利用限制说明
(一)本评估陈诉只能用于本陈诉载明的评估目标和用途。同时，本次
评估结论是反应评估工具在本次评估目标下，按照果真市场的原则确定的
现行公允市价，没有思量未来大概包袱的抵押、包管事宜，以及非凡的交
易方大概追加支付的价值等对评估价值的影响，同时，本陈诉也未思量国
家宏观经济政策产生变革以及遇有自然力和其它不行抗力对资产价值的
影响。当前述条件以及评估中遵循的一连策划原则等其它环境产生变革时，
评估结论一般会失效。评估机构不包袱由于这些条件的变革而导致评估结
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果失效的相关法令责任。
本评估陈诉创立的前提条件是本次经济行为切合国度法令、礼貌的有
关划定，并获得有关部分的核准。
(二)本评估陈诉只能由评估陈诉载明的评估陈诉利用者利用。评估报
告的利用权归委托人所有，未经委托人许可，本评估机构不会随意向他人
果真。
(三)未征得本评估机构同意并审阅相关内容，评估陈诉的全部可能部
分内容不得被摘抄、引用或披露于果真媒体，法令、礼貌划定以及相关当
事方还有约定的除外。
(四)资产评估陈诉利用人该当正确领略和利用评估结论。评估结论不
等同于评估工具可实现价值，评估结论不应当被认为是对评估工具可实现
价值的担保。
(五)评估结论的利用有效期：按照资产评估相关法令礼貌，涉及法定
评估业务的资产评估陈诉，须委托人凭据法令礼貌要求推行资产评估监视
打点措施后利用，评估功效利用有效期一年，即自2019年9月30日至2020年
9月29日利用有效。
十三、资产评估陈诉日
本资产评估陈诉日为二〇二〇年五月二十二日。
(此页以下无正文)
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上海新昇半导体科技有限公司股东全部权益项目资产评估陈诉
附件目次
1.上海新昇半导体科技有限公司《姑且董事会决策》 (复印件)；
2.经普华永道中天管帐师事务所(非凡普通合资)审计核定的管帐报
表 (复印件)；
3.委托人及被评估单元企业法人营业执照(复印件)；
4.评估工具涉及的主要权属证明资料(复印件)；
5.委托人及被评估单元的理睬函；
6.签字资产评估师的理睬函；
7.中联资产评估团体有限公司企业法人营业执照(复印件)；
8.中联资产评估团体有限公司资产评估存案文件(复印件)；
9.签字资产评估师资格证书(复印件)；
10. 资产评估明细表。
中联资产评估团体有限公司 第64页
查察通告原文
